Рассеяние - энергия
Cтраница 2
Рассеяние энергии при колебаниях учитывается по методике гистерезисного сопротивления, позволяющей определить неупругие усилия в системе или ее отдельных связях непосредственно из анализа ее напряженно-деформированного состояния. [16]
Рассеяние энергии, таким образом, будет связано с процессами смещения атомов, ионизации и возбуждения. [17]
Рассеяние энергии, выделяющейся при рекомбинации носителей, может осуществляться несколькими путями. При излучательной рекомбинации эне ргия уносится фотонами. Рекомбинационное излучение может быть обусловлено как прямыми, так и непрямыми переходами. Доля излучательной рекомбинации при малых уровнях инжекции велика у полупроводников с узкой запрещенной зоной, например у InSb. Кроме межзонной излучательной рекомбинации могут быть и излу-чательные переходы носителей на локальные уровни дефектов или примесей. [18]
Рассеяние энергии при колебаниях упругодиссипа - 1ивной системы удобно оценивать с помощью коэффициента поглощения, равного отношению потерянной за цикл энергии V к наибольшему значению потенциальной энергии П упругого элемента. [19]
Рассеяние энергии при локально изотропной турбулентности. [20]
 |
К определению рассеяния г энергии элементарным объемом / среды. [21] |
Рассеяние энергии происходит по всем направлениям, в общем случае неравномерно. [22]
Рассеяние энергии, связанное с наличием трения, оказывает существенное влияние на характер движения динамической системы, поэтому изучение этого влияния представляет определенный интерес. Рассмотрим сначала простейший пример системы с полной диссипацией энергии. [23]
Рассеяние энергии происходит по всем направлениям, в общем случае неравномерно. [24]
Рассеяние энергии приводит к повышению температуры, величина которого, конечно, зависит от теплоемкости системы. При продолжительном синусоидальном нагружении температура может достигнуть установившегося значения, зависящего от скорости отвода тепла в окружающую среду. Выражение (19.19) может быть использовано для оценки выделения тепла в различных экспериментальных условиях, в которых деформации при высоких частотах специально поддерживаются малыми, чтобы предотвратить разогрев образцов и обеспечить линейность вязкоупругих свойств. [25]
Рассеяние энергии идет по двум каналам: РМУ и ОО. Энергия ОО локализована вблизи оси луча. При прохождении через резист электронный пучок в результате РМУ расширяется, так что на границе резист - подложка экспонируется площадь большая, чем в поверхностном слое резиста. Эта площадь определяется длиной пути электрона в резисте и подложке. Хотя максимальное рассеяние энергии в единице объема из-за ОО гораздо меньше, объемный их вклад сравним. Доля РМУ и ОО в экспозиции резиста зависит от энергии излучения, толщины слоя и атомного номера элемента, входящего в состав вещества подложки. При повышении энергии излучения уменьшается потеря энергии на единицу длины пути, а при увеличении толщины слоя возрастает кумулятивный эффект столкновений электронов РМУ. Площадь, экспонируемая на Гранине резист - подложка, увеличивается с ростом толщины слоя. Адекватное экспонирование требует, чтобы пробег электронов в полимерном слое превышал его толщину с тем, чтобы обеспечить экспонирование резиста вблизи границы резист - подложка. С возрастанием атомного номера элементов, образующих вещество подложки, увеличивается доля электронов ОО и уменьшается длина пробега электронов в подложке, в результате чего электроны ОО концентрируются вблизи оси луча. [26]
Рассеяние энергии при заполнении диэлектриком без потерь связано лишь с джоулевыми потерями в стенках резонатора. [27]
Рассеяние энергии при локально изотропной турбулентности. [28]
Рассеяние энергии при локально изотропной турбулентности ( перепеч. [29]
Рассеяние энергии, таким образом, будет связано с процессами смещения атомов, ионизации и возбуждения. [30]
Страницы: 1 2 3 4