Cтраница 1
Когерентное рассеяние наблюдается, когда электрон остается связанным с ядром. Падающий фотон подвергается рассеянию без изменения длины волны. Очевидно, что этот тип рассеяния свойственен преимущественно у-лучам малой энергии. Такое рассеяние ведет к явлениям диффракции, если центры атомного рассеяния образуют правильную решетку. [1]
Когерентное рассеяние невозможно лишь при A / 2dl, где d - постоянная решетки графита. [2]
Когерентное рассеяние характеризуется коэффициентом ак, некогерентное - анк. [3]
Когерентное рассеяние возникает в тех случаях, когда фотон сталкивается с внутренним сильно связанным электроном атома и энергия фотона недостаточна для выбрасывания этого электрона из атома. При этом энергия фотона в результате рассеяния не изменяется. Массовый коэффициент когерентного рассеяния сильно зависит от энергии излучения и атомного номера рассеивающего элемента. [4]
Когерентное рассеяние, так же как и другие процессы, ослабляет интенсивность проходящих сквозь кристалл лучей. Происхождение термина понятно: когда кристалл находится в отражающем положении, часть энергии первичного пучка затрачивается на создание отраженного луча; интенсивность первичного пучка падает особенно быстро; слой кристалла, расположенный у поверхности, обращенной к источнику рентгеновских лучей, экранирует другие блоки, лежащие в глубине кристалла. Когда кристалл не находится в отражающем положении, ослабление пучка происходит лишь вследствие поглощения и квантового рассеяния; экранировки нет. [5]
Когерентное рассеяние представляет собой особый вид упругого рассеяния ( дифракции) нейтронов на кристаллах. [6]
Когерентное рассеяние электронов состоит из ядерного и электронного: член, содержащий г2, определяет долю интенсивности рассеяния ядром, с F2 ( S) - интенсивность рассеяния оболочкой атома, наконец, , содержащий ZF2 ( S), определяет интенсивность рассеяния элект - [ и ядром. В случае рентгеновских лу-интенсивность рассеяния спадает обратно пропорционально S. [7]
Рассматривается когерентное рассеяние 7 - лУчей ядрами, вытекающее из дираковской теории позитронов. Выводятся формулы для эффективного поперечника рассеяния. [8]
Сечение когерентного рассеяния представляет компоненту, приводящую к возникновению дифракционных эффектов. Сечение же некогерентного рассеяния дает вклад в однородный фон. В дальнейшем, однако, мы не будем обращать внимания на этот фон и будем рассматривать лишь те значения b и аког, которые соответствуют когерентному рассеянию. [9]
Cxeivfa установки для ней-тронографического фазового анализа. [10] |
Сечение когерентного рассеяния измеряется в единицах 10 24 см., именуемых барн. [11]
Сечение когерентного рассеяния измеряется в единицах 10 - 24 см2, именуемых барн. [12]
В когерентном рассеянии складываются амплитуды рассеяния для отдельных ядер, а в некогерентном рассеянии - интенсивности. [13]
При когерентном рассеянии света молекулами, описываемом законом Рэлея ( см. уравнение ( 467)), часть энергии излучения переходит в энергии вращательного и колебательного состояния молекул. Поэтому в спектре рассеянного света наряду с частотой линии возбуждающего света наблюдаются линии с большими и меньшими частотами, соответствующие выделению и поглощению энергии молекулами. Поскольку при комнатной температуре преобладает основное колебательное состояние, происходит только поглощение энергии. Линии получаемого таким образож спектра комбинационного рассеяния: ( КР) часто значительно сдвинуты по сравнению с линиями падающего на вещество света в сторону больших длин волн. В то время как ИК-спектр связан с изменением дипольного момента молекул, появление линий в КР-спектре связано с изменением поляризуемости молекул. [14]
В кристаллах довольно интенсивное когерентное рассеяние может быть только в определенных направлениях при интерференции волн рассеянных фотонов. Это явление лежит в основе изучения структуры кристаллов с помощью дифракции рентгеновского излучения. [15]