Рамановское рассеяние

Cтраница 2

Другой особенностью анализа по рамановскому рассеянию является возможность исследовать примесный газ по энергетическим переходам, не активным в спектрах поглощения. Эта особенность расширяет выбор рабочих участков спектра, более свободных от перекрытия мешающими газами. [16]

Мы уже отмечали, что рамановское рассеяние фотонов видимого света на фононах осуществляется посредством электронов. [17]

Сохранение энергии и импульса для рамановского рассеяния, полученные из дисперсионных диаграмм. [18]

В то время как эффективности обычного рамановского рассеяния имеют порядок 10 - 6 рассеянных фотонов на падающий фотон, вынужденный эффект дает преобразование лазерного излучения в рамановское с эффективностью порядка 30 %, а теоретически эффективность может достигать единицы. Таким образом, вынужденный эффект Рамана дает эффективные методы создания когерентных оптических источников видимого и инфракрасного диапазонов, которые до некоторой степени управляются и требуют использования только лазера - как источника накачки - и кристалла или ячейки, содержащей жидкость или газ - как рассеивающей среды. Наблюдалось более 100 когерентных линий [23, 24], а область полученных частот значительно превышает область, достигнутую только за счет рама-новских частотных смещений, так как в последовательных, а также в параметрических процессах генерируемое первоначально рамановское излучение само действует как мощная накачка, приводя к дальнейшим смещениям. [19]

В § 4 утверждалось, что вынужденное рамановское рассеяние представляет собой пороговый процесс. [21]

В общем случае поведение поперечного сечения рамановского рассеяния при резонансных условиях зависит от того, образуют ли промежуточные состояния континуум или нет. [22]

Интересно, что недавно с помощью рамановского рассеяния, использованного для определения длины транс-участкоъ молекул в кристаллических полимерах, получен ряд неожиданных результатов, которые заставляют по-новому взглянуть на проблему микрокристаллического строения ламелей. Оказалось [52], что длины выпрямленных сегментов молекул в кристаллическом ПЭ заметно превышают размер большого периода, определяемого для тех же образцов по положению малоуглового рентгеновского максимума; возможно это только в том случае, если цепи молекул не перпендикулярны образующим поверхностям ламели, а наклонены к ним под некоторым углом. [23]

Все импульсы токов, генерируемые в фотоприемнике фотонами рамановского рассеяния, суммируются вместе и производят электрический ток, сила которого пропорциональна потоку приходящих фотонов ( Ф): ic - cq G), где т - квантовая эффективность фотоприемника, е - заряд электрона, ( G) - усредненный коэффициент усиления фотоприемника. В такой схеме регистрации имеются две причины, вызывающие появление шума в детектируемом аналоговом сигнале. Одна из них связана с квантовой природой светового сигнала и самого процесса его детектирования фотоприемником. Другой вид шума обусловлен тепловым движением зарядов в активном сопротивлении нагрузки измерительной схемы. [24]

Поперечное сечение рамановского рассеяния на ТО фононе в GaP при комнатной температуре в зависимости от разности частот падающего фотона шь и запрещенной зоны ujQ. Крестики - экспериментальные данные, кривые - теоретический расчет. Штриховая кривая соответствует вкладу только от перехода EQ, а сплошная учитывает также вклад от перехода EQ АО - В обоих случаях в качестве ширины запрещенной зоны использовано ее действительное значение о. о плюс половина частоты фонона J. Q. [25]

На рис. 7.31 показаны теоретическая и экспериментальная зависимости поперечного сечения рамановского рассеяния на ТО фононе в GaP при комнатной температуре от разности частот падающего фотона и запрещенной зоны. [26]

Мессбауэровская спектроскопия в сочетании с электронной микроскопией высокого разрешения и рамановским рассеянием является структурно чувствительным методом для ее решения. [27]

Покажите, что в то время как при q О в рамановском рассеянии должна наблюдаться только одна компонента сложенного акустического дублета, при q О должны появляться обе компоненты. [28]

Зависимость отношения интенсивности фона / в к интенсив ности LA дублетов из от ве личины расстройки с резонансом на lh - 1е переходе. Кривая является подгонкой к экспериментальным точкам. [29]

Как уже было показано ( см. ( 7.5 а)), рамановское рассеяние на фононах происходит посредством электрон-фононного взаимодействия. Возможны взаимодействия двух типов. Одно, связанное со смещениями атомов, не требует, чтобы материал был полярным. В случае МКЯ оно следует из аналогичного эффекта в соответствующем объемном материале. [30]

Страницы: 1 2 3 4