Рассмотрение - физический процесс
Cтраница 3
 |
Картина поля. и - при л - 1. б - при rt 2. [31] |
Увеличение пускового тока с возрастанием п легко объяснить при рассмотрении физических процессов взаимодействия электронов с волной в стационарном режиме генерации СВЧ колебаний. При п1 поле суммарной волны ( рис. 1 - 118, а) не меняет фазы. [32]
 |
Схемы включения транзистора. а - с общей базой. б - с сбщим эмиттером. з - с общим коллектором. [33] |
Несмотря на практические недостатки, схема ОБ является основой при рассмотрении физических процессов з транзисторе. [34]
Резание без наростообразования ( в условиях второй зоны режимов резания) положено в основу рассмотрения физических процессов и расчетных уравнений, изложенных в последующих главах. [35]
В случае полупроводниковых приборов ( и ламп на сверхвысоких частотах) построение эквивалентной схемы на основе рассмотрения физических процессов вызывает серьезные трудности. Кроме того, получаемые таким путем эквивалентные схемы оказываются чрезмерно сложными для практического применения. По этой причине широко практикуется представление активных приборов в виде активных ( неавтономных) четырехполюсников ( с двумя сторонами) и использование схем замещения четырехполюсников в качестве эквивалентных схем приборов. При этом элементы схем замещения определяются по параметрам четырехполюсника, а последние либо измеряются экспериментально, либо определяются теоретически из уравнений, описывающих физические процессы в приборе. [36]
 |
Разбивка катушки для исследования электрической прочности уголков ( У, головок ( Г, лобовых ( Л и пазовых ( П частей.| Подготовка образца главной изоляции для испытаний. [37] |
Результаты опытов, проведенных на заводе Электросила, и предварительных испытаний, выполненных нами, а также рассмотрение физических процессов пробоя изоляции показывают, что электрическая прочность изоляции машин после укладки обмотки в сталь статора уменьшается. [38]
Исходя из приведенного краткого обзора размеров, формы, массы и распределения сферических гравитирующих систем, приступим к рассмотрению физических процессов, определяющих их внутреннюю эволюцию. [39]
Возникновение тепла в зоне технологического процесса может быть обязано различным физическим и химическим процессам, однако в рамках общей теории печей можно ограничиться рассмотрением только физических процессов, поскольку химические процессы, как правило, лимитируются в физическом звене процесса. [40]
 |
Схемы включения транзистора. [41] |
Третий вариант вкл ] чения - схема с общим коллектором ( ОК) - показан на рис. 4 - 4, Несмотря на практические недостатки, схема ОБ является основе при рассмотрении физических процессов в транзисторе. Поэтому имен) она будет предметом анализа в ближайших параграфах. [42]
Следует отметить, что критерий квазистационарности не всегда оказывается надежным. Однако рассмотрение физического процесса, происходящего в указанном выше квазистационарном состоянии, очевидно, имеет прочную физическую основу. Можно ожидать, что сделанные выше выводы будут подтверждены более тщательным анализом устойчивости. Устойчивая равновесная точка соответствует точке с более высокой температурой в следе Тг и с меньшим значением Xt / Dr для инициирования пламени. [43]
Примеры, подтверждающие высказанные положения, могут быть почерпнуты в различных сферах технического знания. При рассмотрении физических процессов в электрических машинах и для расчета их конструктивных элементов важно связать параметры физического процесса с морфологическими особенностями объекта. [44]
 |
Энергетические зоны в полупроводнике и функция Ферми собственного полупроводника. [45] |
Страницы: 1 2 3 4