Рассмотрение - рост
Cтраница 1
Рассмотрение роста кристаллов из газовой фазы [ разд. [1]
Рассмотрение роста монокристаллических эгоитакои-альных: пленок позволяет выявить, кроме первичных дефектов - структуры, вызванных условиями зарождения, и вторичные дефекты, появляющиеся уже в процессе роста, - это дислокационные петли, дефекты упаковки и точечные дефекты. [2]
Рассмотрение роста единичной грани при постоянной силе тока показывает, что механизм с упорядоченным возникновением и распространением одного слоя по грани осуществляется при минимальном перенапряжении, определяемом в основном энергией образования двухмерного зародыша. Происходящее при этом нарастание концентрационной поляризации в зоне прохождения фронта ро та слоя осуществляется за счет снижения эффективного перенапряжения без увеличения потенциала всего катода. [3]
При рассмотрении роста совокупности кристаллов выше предполагали, что подача вещества происходит с помощью молекулярных лучков, т.е. направленно. [4]
Этим завершается рассмотрение роста или убывания простых возмущений в бесконечной чисто вязкой пластинке, лежащей на основании и находящейся под действием неизменного осевого давления п, когда вопрос о неустойчивости вязко-упругого равновесия не может быть исследован, поскольку упругими частями деформации изгиба мы пренебрегли заранее. Однако предыдущие замечания, вероятно, проиллюстрировали определенные обстоятельства, которые могли бы проявиться в верхних слоях земной коры, после того, как потеря устойчивости уже произошла и простые возмущения приняли характер необратимых искажений, приводящих к возникновению плоских геосинклиналей и антиклиналей. Мы можем добавить, что геологические данные обнаруживают поразительные примеры формирования параи-лельных складок, со сравнительно короткой длиной волны в деформированных пачках пластов ( флексура) в горных цепях. [5]
 |
Различные возможные поло-жения частиц на поверхности кристалла. [6] |
Предпосылкой при рассмотрении роста кристаллов, таким образом, является отсутствие деформаций в кристалле, построение его из правильно расположенных частиц, отсутствие примесей и близость его к состоянию равновесия с маточной фазой. Между частицами действуют различные силы. [7]
В разделе 1.3 при рассмотрении коагуляционного роста капель было показано, что электрические силы оказывают значительное влияние на скорость их роста. [8]
Однако такой переход еще не раскрывает механизма ингибирования при рассмотрении роста популяции микроорганизмов. И если по смысли уравнения Вольтерра описывают процесс перехода биомассы в двух звеньях экологической цепи, то уравнение Ферхюльста в этом смысле можно трактовать как обратимость процессов размножения и ресинтеза биомассы популяции. [9]
Современные теоретические представления советских исследователей относительно механизма разрыва основаны на рассмотрении роста трещин или надрывов в полимерах как последовательного разрыва связей в их вершинах под действием тепловых флуктуации и с помощью приложенного напряжения. [10]
 |
Схема образования дислокации при захлопывании полости внутри кристалла. - - - - - - - - - положение атомных плоскостей до захлопыва. [11] |
В дальнейшем в этой главе будет использоваться модель краевой дислокации ( обозначают ее обычно символом L), а при рассмотрении роста кристаллов в гл. [12]
Наиболее удобно рассматривать анодные и катодные процессы порознь и в плане излагаемого в этом разделе материала для первого из них ограничиться рассмотрением свободного роста новой фазы, или осадка, или такого роста, для которого взаимное перекрывание центров кристаллизации можно еще объяснить теоретически. [13]
 |
Расчетная зависимость ско - ВЬ1ЧИСленнь1Х по формулам. [14] |
Из приведенных примеров оценки периода нестационарности собственно кристаллизации следует, что этот период - обычно малая величина по сравнению с длительностью всего процесса. Это дает основание для рассмотрения роста кристалла при связи v ж А Г, которая следует из анализа стационарной стадии кристаллизации ( как и в предыдущем параграфе), но с учетом нестационарности процесса теплопроводности. Принятие во внимание последнего обстоятельства требует решения нестационарного уравнения теплопроводности при нелинейном краевом условии на перемещающейся границе рассматриваемой области. Решение задачи должно указать, как зависят от времени переохлаждения на фронте кристаллизации AT ( t) и длина кристалла у ( t) при различных механизмах процесса. [15]
Страницы: 1 2