Cтраница 2
Как уже утверждалось во введении к данному разделу, рост трещины в полимере с докритической скоростью обусловлен термомеханической активацией таких различных процессов молекулярного деформирования, как проскальзывание цепи, ее ориентация и раскрытие пустот. Количество рассеиваемой энергии зависит от частоты, природы, кинетики и взаимодействия соответствующих процессов. Существует много известных попыток рассмотрения роста трещины с докритической скоростью как единого термически активируемого многоступенчатого процесса, характеризующегося единой энтальпией ( или энергией активации) и единым активационным объемом. Несколько подобных кинетических теорий разрушения было рассмотрено в гл. [16]
В процессе роста двухфазных областей ( колоний х)) расстояния между отдельными пластинами при постоянной температуре сохраняются приблизительно постоянными, так что рост в направлении, перпендикулярном плоскости пластин, может происходить только за счет возникновения боковых ответвлений от отдельных пластин или за счет зарождения новых пластин. Некоторые экспериментальные данные указывают, что ветвление ( или пластинкование) более вероятно; при этом каждая фаза образует каркас, непрерывный в пределах всей колонии. В настоящем разделе мы ограничимся рассмотрением роста колоний с торца ( краями пластин вперед); рост в боковых направлениях может лимитироваться скоростью ветвления, однако данные-подтверждающие это, отсутствуют. Отдельные колонии ила группы колоний с различно ориентированными пластинками зарождаются на границах зерен и растут внутрь зерен в виде полусферических агрегатов. Обе фазы колонии, по-видимому, некогерентны относительно матрицы. [17]
Терминология, используемая для обозначения этих явлений, меняется от случая к случаю. Термины прерывистый рост зерен, аномальный рост зерен, огрубление зеренной структуры, непрерывное огрубление зеренной структуры и вторичная рекристаллизация являются синонимами. Применение условного выражения рост зерен для описания явлений, определяемых процессом 5, неудачно, поскольку может привести к недоразумениям при рассмотрении первичного роста зерен. Выражение огрубление зеренной структуры лучше характеризует реальное положение вещей. [18]
При этом удается установить влияние загрязнений, в том числе окислов и карбидов, на протекание начальной стадии эпитаксии полупроводников. Однако последовательное рассмотрение кинетики накопления кластеров критических размеров требует привлечения методов физической кинетики. Это направление применительно к эпитакси-альному росту пленок развивается успешно [23 -25], но получаемые результаты носят обычно общий характер и привязка к реальным условиям эксперимента, проводимая с помощью ЭВМ, еще не всегда возможна. Во многих задачах оказывается достаточным кинетику процесса свести к изменению во времени эффективной скорости роста пленки, а рассмотрение роста - к анализу лимитирующих механизмов в конкретных условиях газотранспортной, жидкостной или вакуумной эпитаксии [25], однако уровень изученности многих процессов еще недостаточен для их описания. [19]