Cтраница 2
Вместо рассмотрения взаимодействия двух поверхностей, каждая из которых имеет свою шероховатость, можно рассмотреть взаимодействие одной поверхности, имеющей приведенную шероховатость, с гладкой твердой поверхностью. Такая задача более проста для анализа. [16]
Для рассмотрения взаимодействия излучения с колебаниями кристалла необходимо исследовать свойства самих колебаний. Тем не менее анализ идеализированной модели дает возможность просто получить результаты, которые описывают поведение реальных кристаллов. [17]
После рассмотрения взаимодействия токов в проводах, взятых попарно, следует определить результирующие силы FA, FB и FC, действующие на головки изоляторов. [18]
После рассмотрения взаимодействия токов в проводах, взятых попарно, следует определить результирующие силы FA, FB и Fc, действующие на головки изоляторов. [19]
Завершая рассмотрение взаимодействия точечных дефектов с доменными границами, рассмотрим здесь же кратко случай родственных им нарушений кристаллической решетки - так называемых несегнетоэлектрических включений. Взаимодействие указанных дефектов с доменными стенками связано с конечностью их размеров и обусловлено как минимум двумя причинами. [20]
Заканчивая рассмотрение взаимодействия средних фосфитов с галоидпроизводными углеводородов, необходимо остановиться на строении промежуточных продуктов этой реакции. [21]
При рассмотрении взаимодействия двух молекул, строго говоря, можно говорить лишь о взаимодействии всей совокупности зарядов, составляющих обе молекулы. Потенциал взаимодействия этой системы зарядов зависит от положения всех ядер и всех электронов. Обозначим через гаА и геА радиусы-векторы ядер и электронов молекулы А и через г и гев соответствующие величины для молекулы В. [22]
Зависимость среднего свободного пробега нейтронов в биологической ткани ( состав C5HWO1S N от энергии. [23] |
При рассмотрении взаимодействия с электронными оболочками атомов снова следует различать упругое рассеяние, связанное с относительно небольшой потерей энергии, и неупругое рассеяние, приводящее к ионизации. [24]
При рассмотрении взаимодействия двух магнитов было установлено, что одноименные полюсы отталкиваются, а разноименные притягиваются, поэтому слева от проводника ( рис. 15, в) магнитные линии поля магнита и поля проводника будут отталкиваться, так как направлены навстречу друг другу. [25]
При рассмотрении взаимодействий между элементарными частицами эта широкая классификация весьма удобна. Например, во всех реакциях разность чисел барионов и антибарионов остается постоянной. Это не соблюдается для мезонов, но, по-видимому, соблюдается также для лептонов. [26]
При рассмотрении взаимодействия мощных ионных пучков сложного состава с объектами, удаленными от узла генерации, необходимо учитывать эффект их разделения по массам в процессе транспортировки. При известных амплитудно-временных параметрах, импульса ускоряющего напряжения и тока в узле генерации, амплитудно-временные параметры импульса тока и спектр пучка на заданном расстоянии определяется следующим образом. [27]
При рассмотрении взаимодействия у-лучен со средой надо учитывать - все три процесса: фотоэффект, эффект Комптона и образование электронно-позитронных пар. [28]
При рассмотрении взаимодействий с электронной оболочкой следует обратить внимание на два важных свойства: 1) в противоположность - бета-излучению можно провести четкую границу между исходным и вторичным излучением. Последнее состоит из электронов и фотонов; 2) статистически энергия, переданная электрону мишени входящей частицей, зависит от соотношения масс обеих взаимодействующих частиц. Протоны, дейтоны и альфа-частицы с энергиями около 1 Мэв могут сообщать электрону энергию в количестве лишь 1 кэв. Поэтому, когда мишени состоят из элементов с атомными номерами большими 10, при облучении частицами с энергией менее нескольких миллионов электрон-вольт только внешние электроны могут взаимодействовать с поступающими частицами. [29]
Связи узлов и блоков процессора при выполнении инструкций формата RR. [30] |