Расстояние - уровень - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Одна из бед новой России, что понятия ум, честь и совесть стали взаимоисключающими. Законы Мерфи (еще...)

Расстояние - уровень

Cтраница 2


Количество воздуха, удаляемого бортовым отсосом, зависит от размеров ванны, температуры раствора, от расстояния уровня раствора до борта ванны, от токсичности выделяемой вредности, подвижности воздуха в помещении.  [16]

В опытах Ипатова растворы жидкостей наливали в стеклянную трубку диаметром 3 мм и определяли температуру воспламенения растворов при разном расстоянии уровня жидкости от края трубки. На рис. 27 приведены результаты опытов со смесями толуол - - бензол, ведущими себя как идеальные смеси, на рис. 28 - со смесями изоамиловый - - этиловый спирт, нормального типа с положительным отклонением давления от давления, рассчитанного по законам идеальных растворов. На рис. 29 показаны результаты, относящиеся к несовершенным смесям этиловый спирт бензол, кривая суммарного давления которых имеет максимум. На рисунках по оси абсцисс отложена температура воспламенения Фв, а по оси ординат - расстояние h уровня жидкости в трубке от пламени.  [17]

Количество воздуха, удаляемого бортовым отсосом, зависит от размеров ванны, температуры раствора, от токсичности выделяющихся вредных веществ, от расстояния уровня раствора до борта ванны и подвижности воздуха в производственном помещении.  [18]

19 Бортовые отсосы. [19]

Расход воздуха в бортовых отсосах зависит от скорости подъема вредностей над зеркалом испарения, степени токсичности этих вредностей, размеров ванн, расстояния уровня раствора от бортов ванны и подвижности воздуха IB помещении. Скорость восходящего потока вредностей, а следовательно, и расход воздуха возрастают с повышением температуры раствора в ванне. Расход воздуха может существенно увеличиться при наличии выступающих над поверхностью раствора обрабатываемых изделий или электродов.  [20]

Объем удаляемого воздуха в бортовых отсосах зависит от скорости подъема вредностей над зеркалом испарения, степени токсичности этих вредностей, размеров ванн, расстояния уровня электролита от бортов ванны и подвижности воздуха в помещении. Скорость восходящего потока вредностей, а следовательно, и расход воздуха возрастают с повышением температуры электролита в ванне. Объем удаляемого воздуха может существенно увеличиться при наличии выступающих над поверхностью электролита обрабатываемых изделий или электродов.  [21]

Ферми лежит вблизи верхней границы валентной зоны, при повышении температуры увеличивается расстояние уровня Ферми от верхней границы валентной зоны, а в полупроводниках гг-типа увеличивается расстояние уровня Ферми от нижней границы зоны проводимости. На рис. 4.3 а показано положение уровня Ферми и границ зон стержня полупроводника р-типа, один конец которого приведен в контакт с холодным, а другой - с нагретым металлом.  [22]

23 Схемы бортовых отсосов. [23]

Количество воздуха, удаляемое бортовыми отсосами ( расход воздуха L), зависит от размеров ванны, температуры раствора, от токсичности выделяющихся вредных веществ, от расстояния уровня раствора до борта ванны и подвижности воздуха в производственном помещении.  [24]

25 Локализация нестационарных решений. [25]

Следовательно, для расщепления здесь получается результат, весьма похожий на тот, что был установлен в предыдущем примере для коэффициента прохождения: расщепление экспоненциально убывает с ростом таких ясных по своему физическому смыслу параметров, как масса частицы, расстояние уровня до вершины барьера и ширина барьера.  [26]

Такими свойствами экситона можно, например, объяснить, что в щелочно-галоидных кристаллах фототок чрезвычайно слаб при низких температурах ( когда тепловая энергия недостаточна для ионизации экситона), быстро возрастает с повышением температуры и затем достигает постоянного значения, уже не изменяющегося при дальнейшем нагревании кристалла, когда средняя энергия теплового движения kT больше расстояния уровня экситона от края свободной полосы.  [27]

Такими свойствами эксптона можно, например, объяснить тот факт, что в щелочно-галоидных кристаллах фототек чрезвычайно слаб при низких температурах ( когда тепловая энергия недостаточна для ионизации экситона), быстро возрастает с повышением температуры и затем достигает постоянного значения, уже не изменяющегося при дальнейшем нагревании кристалла; здесь средняя энергия теплового движения kT уже больше расстояния уровня экситона от края свободной полосы.  [28]

При этом расстояние цо уровня жидкости в скважине измеряют при помощи специальной лебедки Яковлева, а время пробега волны - эхолотом. Для обследования и исследования скважин на промыслах иногда применяют лебедку Яковлева с дополнительными приспособлениями.  [29]

В таком случае возможна миграция дырок с одних центров на другие. Чтобы переход из мелкой дырочной ловушки А в более глубокую В был возможен, нужно, чтобы энергия тепловых колебаний была достаточной для заброса электрона из валентной зоны на уровень центра, занятый дыркой. При температуре Т вероятность получения электроном такой энергии пропорциональна фактору Больцмана ехр ( - EA / kT), где ЕА соответствует расстоянию уровня А от валентной зоны. Поскольку центры В отвечают более длинноволновому излучению, то это означает, что по мере повышения температуры распределение энергии в спектре излучения будет изменяться в пользу длинноволновой полосы.  [30]



Страницы:      1    2