Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Если ты закладываешь чушь в компьютер, ничего кроме чуши он обратно не выдаст. Но эта чушь, пройдя через довольно дорогую машину, некоим образом облагораживается, и никто не решается критиковать ее. Законы Мерфи (еще...)

Расстояние - уровень

Cтраница 1

Расстояние уровня от поверхности земли для эжектора не играет практической роли, так как нужный напор в сопле может быть создан насосом.  [1]

Расстояние уровня Ферми от зоны проводимости е входит в качестве слагаемого в энергию активации реакции, определяя таким образом, при прочих равных условиях, скорость реакции или каталитическую активность полупроводника по отношению к данной реакции. Уровень Ферми выступает как регулятор не только каталитической, но и адсорбционной способности поверхности полупроводника.  [2]

Поскольку расстояние уровня VM от дна зоны проводимости растет при увеличении ширины запрещенной полосы Ее, то рост последней должен способствовать образованию пар взаимно компенсирующих друг друга дефектов.  [3]

Объемы V и V определяются по расстоянию уровня ртути в манометре от уровня ртути при атмосферном давлении. Для манометрической трубки диаметром в 4 5 мм поправка на 1 мм шкалы манометра равна 0 016 мл. Вторая и последующие точки изотермы адсорбции вычисляются несколько иначе.  [4]

Зонная схема кри-сталлофосфора с одним типом центров рекомбинаци-онной люминесценции ( А и одним типом ловушек для.  [5]

Если такая ловушка не очень глубока ( расстояние уровня захвата G от зоны проводимости невелико), то попавший в нее электрон может быть освобожден тепловыми колебаниями.  [6]

Общий вид дистанц. передачи с использованием емкостных датчиков.| Принципиальная элсктрич. схема дистанц. передачи на емкостных датчиках.| Дифференциально-трансформаторная система дистанц. передачи.  [7]

ДП с емкостными датчиками применяется для измерения па расстоянии уровня веществ, обладающих значит, электропроводностью или днэлектрич. Величина емкости конденсаторного датчика Ц измеряется в схеме неураиповеш.  [8]

Если это объяснение температурного хода фототока правильно, то расстояние уровня экситона от края свободной зоны определяется той температурой, при которой происходит резкий рост фотопроводимости.  [9]

Зависимость температуры на поверхности жидкости от изменения уровня последней в горелке.| Зависимость Фп и v от h при горении бензина в горелках / - d 23 мм. 2 - d 11 мм.  [10]

Чем же объясняется уменьшение скорости выгорания и при возрастании расстояния уровня жидкости от края горелки.  [11]

Расположение демаркационных уровней и квазиуровней Ферми в запрещенной зоне полупроводника.  [12]

При заданных интенсивности освещения и температуре величина k определяется расстоянием уровня ловушек от края с - или щ-зоны, причем из (26.1) и (26.2) следует, что ловушки, располагающиеся вблизи краев зон, имеют большую вероятность оказаться центрами прилипания, а ловушки, находящиеся в центральной части запрещенной зоны, играют роль центров рекомбинации.  [13]

Положение уровня Ферми и границ зон стержня, легированного полупроводника р-типа ( а и n - типа ( б, контактирующего с холодным и нагретым.  [14]

Ферми лежит вблизи верхней границы валентной зоны, при повышении температуры увеличивается расстояние уровня Ферми от верхней границы валентной зоны, а в полупроводниках гг-типа увеличивается расстояние уровня Ферми от нижней границы зоны проводимости. На рис. 4.3 а показано положение уровня Ферми и границ зон стержня полупроводника р-типа, один конец которого приведен в контакт с холодным, а другой - с нагретым металлом.  [15]

Страницы:      1    2