Атомное расстояние - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Дипломат - это человек, который посылает тебя к черту, но делает это таким образом, что ты отправляешься туда с чувством глубокого удовлетворения. Законы Мерфи (еще...)

Атомное расстояние

Cтраница 3


Дальний порядок редко охватывает большой монокристалл, обычно строгая правильность не распространяется больше чем на 1000 атомных расстояний.  [31]

Предположим, что на образовавшуюся при испарении или сублимации межфазную поверхность нанесены насечки глубиной порядка нескольких атомных расстояний таким образом, что они образуют замкнутую линию. Для сохранения механического равновесия к атомам, располагающимся вдоль условных насечек, следует приложить внешние силы. Ясно, что они действуют перпендикулярно к контуру насечек и лежат в плоскости, касательной к поверхности раздела жидкость - газ. Произведение этих внешних сил, действующих на некотором участке насечек, на длину его контура представляет собой поверхностную энергию жидкости а, часто именуемую поверхностным натяжением. Этот термин используют также для обозначения напряжений в поверхностном слое неупругих тел. Согласно определению, поверхностное натяжение является вектором, лежащим на нормали к обводу участка, и действующим по касательной к поверхности раздела фаз.  [32]

Положение дифракционных максимумов и минимумов зависит от соотношения между длиной волны в кристалле Хкр и между атомными расстояниями, иными словами, дифракционная картина зависит от уп. Эта зависимость вполне может быть обнаружена на опыте.  [33]

34 Схема зонда Ферстера. [34]

В ненагруженном кристалле: места в решетке для атомов внедрения энергетически равноправны; в нагруженном кристалле: атомное расстояние решетки увеличивается в направлении растяжения, что соответствует энергетически более благоприятным условиям по сравнению с областями со сжимающей нагрузкой. Следствием этого является изменение порядка в решетке, которое зависит от времени, и дополнительное удлинение.  [35]

При с, приближающейся к 50 / 0, падает до немногих ( 3 - 5) атомных расстояний, и кристаллический твердый раствор двух изоморфных кристаллов приближается, с точки зрения теплопроводности, к аморфным материалам.  [36]

Электрическое поле этих ионов поляризует окружающую среду образуя энергетическую яму для электронов, охватывающую область в несколько атомных расстояний. Попавший в такую область электрон втягивается и может рекомбинировать.  [37]

38 Кинетическая кривая в координатах A, t ( a. A, - jt ( б. - lg ( 1 - A, t ( в. [38]

Следует, однако, отметить, что при столь больших F размеры отдельных зерен составляют несколько десятков атомных расстояний, так что объемный процесс может существенно отличаться от обычного, и при заметной растворимости воды или О г в окисле сводится практически к внедрению.  [39]

Электрическое поле этих ионов поляризует окружающую среду образуя энергетическую яму для электронов, охватывающую область в несколько атомных расстояний. Попавший в такую область электрон втягивается и может рекомбинировать.  [40]

Показано, что все угли имеют одинаковый ближний порядок ( до г - 3 А) с сохранением атомных расстояний в углеродном кольце г - 1 42 А. Дальний порядок лучше всего выражен в саже, слабее всего - в буроугольном коксе, что соответствует размерам областей когерентного рассеяния.  [41]

Влияние ионной решетки металла на электрон при удалении от поверхности внутрь металла на 2 - 3 между - атомных расстояния почти прекращается. Это также препятствует выходу электронов с поверхности.  [42]

43 Длительная прочность бериллия при различных температурах. [43]

Вредное влияние примесей внедрения в этих металлах, по-видимому, проявляется при тем более низких концентрациях, чем меньше между атомные расстояния. Атомы примесей внедрения располагаются в решетке этих металлов неравномерно, они концентрируются вдоль призматических плоскостей. Указанный эффект приводит к повышению критического скалывающего напряжения вдоль плоскостей призмы тем более интенсивному, чем меньше размеры атомов металла.  [44]

Теплоты активации для всех типов химических превращений могут быть вычислены с помощью данных, полученных по взаимным атомным положениям или атомным расстояниям и силам, действующим между ними.  [45]



Страницы:      1    2    3    4