Межплоскостное расстояние

Cтраница 2

Межплоскостные расстояния da и с ( р берут из таблиц. [16]

Межплоскостные расстояния между соседними молекулами донора и акцептора внутри стопки несколько короче ( 3 2 - 3 3 А), чем расстояние ван-дерваальсова контакта ( 3 4 А в ароматических углеводородах), но этот эффект обусловлен скорее дипольным взаимодействием или образованием водородной связи, чем взаимодействиями с переносом заряда. [17]

Межплоскостное расстояние для высокоориентированного пироуглерода составляет 3 357 А. Концентрация носителей тока для синтетического и природного монокристаллического графита равняется - 1 2 - 1019 и ЫО19 носителей / / см3 соответственно. Зонная структура этих графитов вблизи уровня Ферми одинакова. [18]

Пронод ( вдоль слоев, образе. [19]

Межплоскостные расстояния изменяются, насколько это необходимо для размещения легирующих атомов или молекул. [20]

Межплоскостное расстояние 3 06 А, соответствующее этим линиям, интерпретируется как постоянное расстояние между атомами иода в резонирующей полииодной цепи. Как уже отмечалось при обсуждении комплекса амилозы с иодом, наблюдение одиночной слоевой линии не является окончательным доказательством равномерного распределения атомов иода, но это показывает, что они лежат в линейном порядке в структуре с пространственным расположением, не связанным со структурой молекул декстрина. [21]

Межплоскостное расстояние, определяемое методом рентгеноструктурно-го анализа. [22]

Межплоскостное расстояние в кристалле кальцита равно 3 029 А. При рентгеноструктуорном анализе часто применяется излучение от медного анода с длиной волны 1.54 А. [23]

Межплоскостные расстояния для наиболее интенсивных экваториальных отражений ( относящихся только к периодам по оси а) увеличиваются с ростом относительной влажности, тогда как размеры по осям b и с при этом не изменяются. Действительно, эти параметры оказываются такими же, как и в чистом маннане I, где галактоза полностью отсутствует. [24]

Межплоскостные расстояния существенно изменяются не у всех углеродистых материалов даже при нагреве до 3000 С. Однако по Крылову [67] прографитирован может быть любой углеродистый материал, но только в более жестких условиях. Не-графитирующиеся материалы образуются из графитирующихся в результате интенсивного сульфирования и окисления. [25]

Межплоскостные расстояния d323 решетки карбида бора в исследованных сплавах увеличены, что указывает на наличие в них твердых растворов. По характеру изменений рентгенометрических характеристик кристаллической решетки карбида бора можно предполагать, что в ряде исследованных сплавов твердые растворы в карбиде бора образованы преимущественно бором, тогда как в ряде других - преимущественно кремнием. Природа твердых растворов на основе карбида бора в исследованных сплавах представляет интерес для дальнейшего изучения. [26]

Межплоскостное расстояние в кристалле кальцита равно 3 029 А. При рентгеноструктурном анализе часто применяется излучение от медного анода с длиной волны 1.54 А. [27]

Межплоскостные расстояния и интенсивности линий на рентгенограмме описываемой фазы приведены в табл. 7 ( Си-К. [28]

Межплоскостные расстояния d328 решетки карбида бора в исследованных сплавах увеличены, что указывает на наличие в них твердых растворов. По характеру изменений рентгенометрических характеристик кристаллической решетки карбида бора можно предполагать, что в ряде исследованных сплавов твердые растворы в карбиде бора образованы преимущественно бором, тогда как в ряде других - преимущественно кремнием. Природа твердых растворов на основе карбида бора в исследованных сплавах представляет интерес для дальнейшего изучения. [29]

Межплоскостное расстояние dL / r, где L-расстояние от образца до фотопластинки; X-длина волны де Бройля электрона, определяемая его энергией; г-расстояние от рефлекса до центр, пятна на электронограмме. [30]

Страницы: 1 2 3 4