Межплоскостное расстояние
Cтраница 3
Межплоскостное расстояние d лежит в пределах 4 6 - 5 0 А и приписывается расстоянию между боковыми группами. Второе межплоскостное расстояние d, находящееся в малоугловой области, увеличивается регулярно с удлинением алкильной части боковой группы. Величина d приписывается расстоянию между слоями, образованными основными цепями макромолекулы. Оба параметра сильно зависят от степени гибкости алкильной части, которая в свою очередь зависит от свободы вращения С-С - связи, разрешаемой соединительным мостиком. Для полимеров с несколько большей жесткостью, например для поли-метакрилатов, а1 27 А, что указывает на конформацию зигзага алкильной боковой группы. Значения d находятся в согласии с моделью, в которой основные цепи разделены слоями, расположенными на расстояниях, приблизительно равных длине боковой цепи. Поэтому такая упорядоченность моделируется структурой со смек-тическим слоистым расположением беспорядочно свернутых основных цепей с одинарным слоем боковых групп, перпендикулярных ламеллярным плоскостям, в которых лежат эти основные цепи. [31]
Межплоскостное расстояние в пакетах колеблется в пределах 3 36 - 3 95 А; оно значительно больше, чем в графите. Форма и размеры турбостратных пакетов характеризуются параметрами La, Lc, d002; La Lc - размеры кристаллитов в направлениях, параллельном и перпендикулярном базисным плоскостям ( La, Lc - соответственно ширина и толщина пакета); rfoo2 по аналогии с графитом-межплоскостное расстояние. [32]
Рассчитанные межплоскостные расстояния для кубической, гексагональной или тетрагональной сингоний позволяют производить индицирование отражений и определение периода решетки. При это используются те же закономерности, что и при расчете рентгенограмм. [33]
 |
Зависимость образования Na03 при озонировании NaOH во взвешенном состоянии в интервале температур - 40 - 1 - [ - 40 С. [34] |
Межплоскостные расстояния азида и озонида натрия резко отличаются друг от друга, следовательно, мы не можем даже предположительно говорить о ромбоэдрической структуре озонида натрия. [35]
Полученные межплоскостные расстояния и интенсивности сопоставляют с табличными данными ( справочники Маркина, Михеева и американская таблица ASTM) и делают заключение о фазовом составе. Затем определяют постоянную кристаллической решетки ( параметры решетки) и определяют число частиц в элементарной ячейке. [36]
Полученные межплоскостные расстояния и интенсивности сопоставляют с табличными данными ( справочники Миркина. Микеева и американская таблица ASTM) и делают заключение о фазовом составе. Затеи определяют постоянную кристаллической решетки ( параметры решетки) и определяют число частиц в элементарной ячейке. [37]
Межплоскостные расстояния кристаллической решетки рассчитывают по выражению га. Произведение ХА при заданном постоянном ускоряющем напряжении - является постоянной величиной и определяется обычно по снимкам с известными значениями межшюскостных расстояний 4 Межплоскостные расстояния с высокой точностью могут быть получены при съемке электронограмм методом прохождения. Однако для получения более точных данных используют оба вида съемки. [38]
Межплоскостные расстояния любого кристаллического соединения являются как бы его паспортом. По рентгенограмме какого-либо вещества можно вычислить его межплоскостные расстояния, в соответствующем справочнике или каталоге найти это вещество ( если название его было неизвестно) или определить из смеси каких химических соединений оно состоит. В последнем случае каждое из химических соединений, входящих в смесь, дает свои линии на рентгенограмме и требуется только разделить все линии на две группы или более. [39]
Межплоскостные расстояния любого кристаллического соединения являются как бы его паспортом. По рентгенограмме какого-либо вещества можно вычислить его межплоскостные расстояния, в соответствующем справочнике или каталоге найти это вещество ( если название его было неизвестно) или определить из смеси каких химических соединений оно состоит. В последнем случае каждое из химических соединений, входящих в смесь, дает свои линии на рентгенограмме и требуется только разделить все линии на две группы и - п более. [40]
 |
Элементарная ячейка In ( ОН3. [41] |
Характерными межплоскостными расстояниями для 1п ( ОН) 3 является [450]: 3 990; 2 822; 1 784 и 1 628 А. [42]
 |
К выводу погасаний, характерных для винтовых осей симметрии. [43] |
Если межплоскостное расстояние d равно периоду идентичности вдоль оси симметрии d а2, то ось симметрии является поворотной. [44]
Второе межплоскостное расстояние d, находящееся в малоугловой области, увеличивается регулярно с удлинением алкильной части боковой группы. Величина d приписывается расстоянию между слоями, образованными основными цепями макромолекулы. Оба параметра сильно зависят от степени гибкости алкильной части, которая в свою очередь зависит от свободы вращения С-С - связи, разрешаемой соединительным мостиком. Для полимеров с несколько большей жесткостью, например для поли-метакрилатов, а1 27 А, что указывает на конформацию зигзага алкильной боковой группы. Значения d находятся в согласии с моделью, в которой основные цепи разделены слоями, расположенными на расстояниях, приблизительно равных длине боковой цепи. Поэтому такая упорядоченность моделируется структурой со смек-тическим слоистым расположением беспорядочно свернутых основных цепей с одинарным слоем боковых групп, перпендикулярных ламеллярным плоскостям, в которых лежат эти основные цепи. [45]
Страницы: 1 2 3 4