Растворение - материал
Cтраница 1
 |
Строение ДЭС и падение потенциала с расстоянием. [1] |
Растворение материала поверхности и возникновение на ней ДЭС можно вызвать, добавив в раствор вещество, способное реагировать с поверхностью. Например, амфотерный гидроксид алюминия в присутствии кислоты заряжается положительно, в щелочной среде его поверхность приобретает отрицательный заряд. [2]
Растворение материала инструмента в обрабатываемом материале - диффузионный износ; происходит преимущественно при относительно больших скоростях резания. [3]
 |
Строение ДЭС и падение потенциала с расстоянием. [4] |
Растворение материала поверхности и возникновение на ней ДЭС можно вызвать, добавив в раствор вещество, способное реагировать с поверхностью. Например, амфотерный гидроксид алюминия в присутствии кислоты заряжается положительно, в щелочной среде его поверхность приобретает отрицательный заряд. [5]
Растворение иснытуемог-о материала производится любым из способов, заканчивающихся приготовлением сернокислого раствора 1 0 - 2, и. Железо в растет, ре должно быть полностью окислено. [6]
 |
Строение ДЭС и падение потенциала с расстоянием. [7] |
Растворение материала поверхности и возникновение на ней ДЭС можно вызвать, добавив в раствор вещество, способное реагировать с поверхностью. Например, амфотерный гидроксид алюминия в присутствии кислоты заряжается положительно, в щелочной среде его поверхность приобретает отрицательный заряд. [8]
Для растворения блокировочного материала можно рекомендовать керосин, нагретый до 50 С. Его объем должен примерно равняться десятикратному объему введенного нафталина. [9]
Когда для растворения материала и переведения основы в нужную химическую форму необходим более чем десятикратный избыток реактива по отношению к анализируемому веществу, чистота реактива должна быть, по крайней мере, на два. [10]
Когда для растворения материала и переведения основы в нужную химическую форму необходим более чем десятикратный избыток реактива по отношению к анализируемому веществу, чистота реактива должна быть, по крайней мере, на два порядка выше, чем чистота последнего. [11]
Повышенная скорость растворения материала может быть связана с упругими искажениями решетки кристалла вблизи дислокации, а также с повышенной концентрацией примесных атомов, изменяющей хим. состав материала вблизи ядра дислокаций. Иногда примеси замедляют преимущественное растворение, уменьшая искажения решетки. Полнота выявления дислокаций зависит от количества и природы примесей в кристалле, состава травителя, режима травления, кристаллографической ориентации исследуемой поверхности, типа дислокации, угла выхода дислокации на поверхность, термической обработки материала ( дислокации свежие или остаренные) и др. Иногда фигуры травления возникают в местах, где дислокаций нет, напр. Для каждого материала тра-витель подбирают отдельно, убеждаясь в том, что ямки травления соответствуют местам выхода дислокаций. Для этого достаточно одного из следующих условий: результаты травления и выявления дислокаций каким-либо методом в объеме образца должны совпадать ( см. Электронно-микроскопический анализ, Рентгено-топографический анализ, Декорирование); на двух поверхностях скола кристалла распределение ямок травления должно быть зеркальным отражением друг друга; если цепочка ямок травления образует субгрэницу и можно определить угол разориента-ции ( напр. Ямки травления изучают, как правило, с помощью оптического металлографического микроскопа. [12]
При наличии растворения материала кристаллизатора в расплаве, происходит эрозия графита затвердевающим металлом при движении из постоянно уширяющегося входного пространства кристаллизатора. [13]
Солянокислотный раствор предназначается для растворения привнесенных загрязняющих материалов и, по возможности, для полного выщелачивания карбонатов из призабойной зоны. [14]
Селен обычно отделяют при растворении материала ( см, стр. [15]
Страницы: 1 2 3 4