Cтраница 3
На рис. 31 показаны поляризационные кривые анодного растворения германия при различных способах включения р-л-перехода. [31]
Весьма вероятно, что ускорение реакции анодного растворения германия в присутствии восстановителей связано со следующими обстоятельствами. Во-первых, реакция окисления иона С2Э - протекает с инъекцией электронов в зону проводимости, а не в валентную зону, ибо в противном случае кривая 3 ( см. рис. 44 и 45) имела бы ток насыщения дырок. Поэтому указанный процесс не лимитируется диффузией дырок из глубины электрода. Во-вторых, при инъекции электронов в результате окисления иона С2О - их поверхностная концентрация резко возрастает. В результате инъекции электронов в поверхностном слое германия создаются сильные электрические поля, которые в свою очередь способствуют появлению там большого количества дырок из-за дрейфа или местной генерации. Это приводит к ускорению реакции анодного растворения германия, протекающей с участием дырок и лимитируемой их концентрацией на границе раздела германий-электролит. [32]
Как уже отмечалось, в процессе анодного растворения германия участвуют свободные носители зарядов разных знаков - электроны и дырки. [33]
В настоящее время установлено, что процесс анодного растворения германия n - типа лимитируется диффузией дырок из глубины полупроводника к его поверхности. [34]
Электроокислительная реакция, протекающая одно-временно с процессом анодного растворения германия оказывает на него большое влияние. [35]
Гипотеза Браттайна и Гаретта об участии дырок в реакции анодного растворения германия получила экспериментальное подтверждение в более поздних работах ряда исследователей4 8 и в настоящее время нет сомнений в ее достоверности. [36]
Осциллограмма изменения потенциала. [37] |
Участок cd отвечает восстановлению поверхностного окисного слоя, образовавшегося в процессе анодного растворения германия. Восстановительный процесс, на который затрачивается 4 - 10 - 4 к / см2, не зависит от величины катодной плотности тока и времени анодной обработки. На участке de происходит разряд ионов водорода. [38]
В процессе анодной поляризации поверхность германиевого электрода окисляется, поэтому процесс анодного растворения германия проходит через стадию-образования и растворения поверхностных окисных соединений. [39]
При этом особое внимание обращается на рассмотрение наиболее важных в прикладном отношении реакций анодного растворения германия и кремния. В книге также дается обзор применения электрохимических операций в технологии изготовления полупроводниковых приборов. [40]
Федотова, Н. Д. Томашов показали29, что окислитель типа хлорного железа оказывает на процесс анодного растворения германия такое же действие, как и феррицианид калия. Введение в электролит перекиси водорода не изменяет величину потенциала анода. [41]
В статье Ю. В. Плескова [582] и в монографии [576] излагается современная точка зрения на процессы анодного растворения германия. Если п п, то германий ведет с. Концентрацию носителей тока можно изменять действием света, который генерирует дырки, или при помощи окислителей, оказывающих такое же действие. Подробное изучение состояния поверхности при анодной поляризации германия и факторов, на нее влияющих, интересно не только с теоретической стороны, но и имеет большое практическое значение, поскольку анодное травление или электрополировка германия применяется для придания его поверхности определенных свойств. [42]
Зависимость г нас. / L для германия п-типа. [43] |
Таким образом, результаты Флинна подтверждают сделанные выше выводы о природе дырок при реакции анодного растворения германия. [44]
Среди различных случаев выпрямления, исследованных теоретически В. Г. Левичем с сотрудниками, наибольший интерес представляет реакция анодного растворения германия, обладающего электронной проводимостью. Поскольку концентрация дырок в объеме германия, обладающего электронной проводимостью, чрезвычайно низка, то в ходе анодного растворения возникает своего рода концентрационная поляризация по дыркам. Следствием ее является ограничение скорости процесса. В общем случае в реакциях на полупроводниковых электродах принимают участие свободные заряды обоих знаков: свободные электроны и дырки. [45]