Cтраница 1
Растрескивание кристаллов, обусловливаемое высокими термическими напряжениями, может быть предотвращено уменьшением осевого температурного градиента путем экранирования кристалла сверху. [1]
Растрескивание кристалла чаще всего является следствием разницы в температурных коэффициентах линейного расширения полупроводника и электродного материала. Такой вид отказов характерен для мощных транзисторов, и, чтобы не допустить этих дефектов, применяют, например, термокомпенсирующие прокладки. [2]
Растрескивание кристалла чаще всего является следствием разницы в коэффициентах линейного расширения полупроводника и электродного материала. [3]
Растрескивание кристалла чаще всего является следствием разницы в температурных коэффициентах линейного расширения полупроводника и электродного материала. Такой вид отказов характерен для мощных транзисторов, и, чтобы не допустить эти дефекты, применяют, например, термокомпенсирующие прокладки. [4]
Растрескивание кристаллов начинается при температуре около 280 С и достигает максимума около 360 С, когда наблюдается особенно громкое и мощное расщепление; затем слышно лишь тихое незначительное потрескивание, которое прекращается при температуре около 530 С. При этом на интенсивность растрескивания решающее влияние оказывает величина частиц исходного материала. [5]
Растрескивание кристалла чаще всего является следствием разницы в температурных коэффициентах линейного расширения полупроводника и электродного материала. Такой вид - отказов характерен для мощных транзисторов, и, чтобы не допустить этих дефектов, применяют, например, термокомпенсирующие прокладки. [6]
Поэтому растрескивание кристаллов нельзя рассматривать как метод измельчения, поскольку нагревается вся масса материала. В то время как этот метод при величине частиц исходного материала 500 - 1000 мк для увеличения удельной поверхности в 10 раз требует затрат около 100 квт-ч / т, то лабораторная вибрационная мельница с керамическими шарами уже при 5 квт-ч / т позволяет получить 70-кратное увеличение удельной поверхности. [7]
К растрескиванию кристаллов НБН перпендикулярно оси роста ( для с-осных кристаллов) может приводить, как было установлено в работе [32], наличие ростовых полос, возникающих при больших флуктуациях скорости роста. [8]
Это вызывает растрескивание кристаллов СаСО3 в процессе обжига. Первичные кристаллы СаО образуют псевдоморфозы по кристаллам СаСОз. Их размер при 1173 - 1373 К составляет 0 05 - 1 мкм. [9]
Кроме того, растрескивание кристаллов при нагревании иногда обусловлено разрешением внутренних напряжений в кристалле. Часто визуально однородные кристаллы растрескиваются, что в той или иной форме фиксируется на криптограмме, которая может быть характерным признаком для данного минерала, находящегося в конкретной геологической обстановке. [10]
Пробой, сопровождающийся растрескиванием кристалла, характерен для органических кристаллов. [11]
Быстрое охлаждение может привести к растрескиванию кристалла, особенно если последний приклеен к капилляру твердым веществом. К такому же результату может привести и быстрое нагревание, поэтому его также надо проводить постепенно. [12]
Это подтверждает предположение, что при растрескивании кристаллов тяжелого шпата определенную роль играют скопления молекул воды, а также слои воды, адсорбированные на плоскости спайности более крупных кристаллов. Вода разрушает кристаллы по плоскостям спайности посредством локально возникающих пиков напряжений. [13]
Вместе с тем такие нежелательные явления, как растрескивание кристаллов при совместном действии механических напряжений и расплава необходимо учитывать, например, в технологии пайки разнообразных полупроводниковых приборов. [14]
Прокаливание барита производят в печи, где происходит растрескивание кристаллов, рассыпающихся на очень мелкие частицы, которые отделяют от остальной массы просеиванием. При этом способе не требуется механического измельчения исходного минерала, но некоторые примеси не удается удовлетворительно удалить. [15]