Растрескивание - кристалл
Cтраница 3
 |
Вольт-амперные характеристики германиевого диода при различных температурах окружающей среды. [31] |
Нижний предел рабочей температуры германиевых диодов ( - 60 С) обусловлен различием коэффициентов температурного расширения германия и индия: при низких температурах возникают механические напряжения и возможно растрескивание кристалла германия. [32]
Конструктивные недостатки, приводящие к катастрофическим отказам, могут проявляться из-за различия коэффициентов теплового расширения материалов сочленяющихся элементов приборов, что приводит к механическим нарушениям различного вида контактов, растрескиванию кристаллов полупроводников, баллонов ламп. Это наиболее заметно проявляется в мощных приборах. Чтобы не допустить таких дефектов, применяют термокомпенсирую-щие прокладки между элементами конструкции. [33]
Растрескивание кристаллов может быть следствием больших упругих напряжений, возникающих в процессе остывания. Авторы этой работы выращивали монокристаллы на установке, блок вытягивания которой был отделен от блока отжига, и тем самым кристалл мог охлаждаться в контролируемых условиях. [34]
 |
Растворимость в системе NaCl - НаО. [35] |
Природная соль иногда содержит влагу в виде межкристального маточного рассола, а также включения газов. При нагревании вода испаряется с растрескиванием кристаллов. [36]
Предполагается, что начальное размножение связано с присутствием случайных кристаллитов на поверхности кристалла, помещенного в раствор. Присутствие таких кристаллитов может быть связано с частичным растрескиванием кристаллов в процессе хранения или быстрым осушением их на воздухе. Эти кристаллиты просто падают с поверхности кристаллов, когда их опускают в жидкость. [37]
Полученные результаты особенно важны для интерпретации размножения при столкновении. Можно предположить, что размножение при столкновении связано с простым растрескиванием сталкивающихся кристаллов, в результате чего образуются новые кристаллиты, которые продолжают расти самостоятельно. Но в то же время трудно представить себе, чтобы число новых кристаллитов, образовавшихся при столкновении, зависело от пересыщения ДГ, как это было обнаружено. При таком условии все обломки, меньшие критического размера, будут растворяться, и только обломки, большие критического размера, будут способны расти. [38]
Изготовленные пластины полируются по плоскостям с точностью не менее чем 25 ммк и плоскопараллельны в пределах 2 - 3 мк. Большие ошибки в плоскопараллельно-сти пластин затрудняют изгиб и приводят часто к растрескиванию кристаллов. [39]
К этой же группе следует отнести и отказы, возникающие из-за различия тепловых коэффициентов расширения различных материалов. Так, значительное различие коэффициентах расширения кремниевого кристалла и материала кристаллодержателя может привести к растрескиванию кристалла при изменении температуры. Этот вид отказов является следствием явного недостатка конструкции. [40]
Катастрофические отказы транзисторов являются чаще всего следствием либо недостаточной отработки их конструкции, либо нарушений в технологии. Как и в полупроводниковых диодах ( см. § 3.32), катастрофические отказы транзисторов вызываются обрывами выводов, растрескиванием кристалла, пробоем переходов или оксидного слоя, короткими замыканиями. [41]
Катастрофические отказы транзисторов являются чаще всего следствием либо недостаточной отработки их конструкции, либо нарушений в технологии. Как и в полупроводниковых диодах ( см. § 1.23), катастрофические отказы транзисторов вызываются обрывами выводов, растрескиванием кристалла, пробоем переходов или окисного слоя, короткими замыканиями. [42]
Катастрофические отказы транзисторов являются чаще всего следствием либо недостаточной отработки их конструкции, либо нарушений в технологии. Как и в полупроводниковых диодах ( см. § 3.31), катастрофические отказы транзисторов вызываются обрывами выводов, растрескиванием кристалла, пробоем переходов или окисного слоя, короткими замыканиями. [43]
При медленном охлаждении, например, в отвальных металлургических шлаках р-модификация переходит в у-модифика-цию. Этот переход сопровождается значительным увеличением объема ( относительная плотность р-модификации 3 28, у-моди-фикации 2 97) и растрескиванием кристаллов. [44]
Катастрофические отказы транзисторов являются чаще всего следствием либо недостаточной отработки их конструкции, либо нарушений в технологии. Как и в полупроводниковых диодах ( см. § 3.32), катастрофические отказы транзисторов вызываются обрывами выводов, растрескиванием кристалла, пробоем переходов или оксидного слоя, короткими замыканиями. [45]
Страницы: 1 2 3 4