Расчет - кристаллизация
Cтраница 2
Рассмотрены рост одиночного кристалла из пересыщенного раствора ( расплава), кинетические закономерности кристаллизации, гидродинамика и тепломассоперенос в дисперсных системах. Приведены примеры расчета кристаллизации в однородных системах, сквозных потоках, во взвешенном слое и в других системах. Показано, как отдельные методики могут быть использованы при создании САПР кристаллизационных установок. [16]
В связи со склонностью к переохлаждению значительная доля вещества по мере снижения температуры, отвердевая, остается, по-видимому, в аморфном состоянии. Поэтому для расчета кристаллизации сложных удобрений неприменима система уравнений, основанная на задаче Стефана. Хотя в сечении гранул возникает температурный перепад, достигающий на лобовой стороне нескольких десятков градусов, по существу, кристаллизация происходит во всем объеме гранулы, но более интенсивно - ближе к наружной поверхности. [17]
 |
Номограмма Фрежака для системы CO ( NH2 2 - Н2О. [18] |
Необходимо иметь в виду, что мочевина способна к образованию пересыщенных растворов. Поэтому не следует производить расчеты кристаллизации или обращаться с растворами только исходя из данных, приведенных на диаграмме. [19]
Другой случай возникает, когда точка исходного раствора Н расположена так, что луч испарения, проведенный из начала координат через эту точку, пересекает на горизонтальной и вертикальной проекциях внешние поля насыщения двух различных компонентов. В этом случае для расчета кристаллизации необходимы проекции правой или левой части диаграммы на вертикальную шюкость V или применение способа вторичной ортогональной проекции на координатные плоскости / и IV. [20]
Поэтому здесь не приводится более подробное описание этого способа. Построения для расчета кристаллизации двух и трех твердых фаз на основе применения двух ортогональных проекций могут быть выполнены этим способом вполне точно, однако они тоже сравнительно громоздки, особенно при наличии в системе гидратов и двойных солей. При большом числе полей насыщения и областей кристаллизации затруднительно установить с помощью ортогональных проекций, какие линии соответствуют проекциям поверхностей, ограничивающим те или иные области кристаллизации, и в каких точках эти поверхности пересекаются секущей плоскостью. [21]
Для неправильного тетраэдра в прямоугольных координатах секущая вертикальная плоскость, проведенная через луч испарения перпендикулярно к координатной плоскости ( грани), в отличие от правильного тетраэдра, из-за взаимной перпендикулярности координатных плоскостей одновременно проходит через соответствующую координатную ось фигуры. Эта особенность прямоугольных координат и их ортогональных проекций важна при вспомогательных графических построениях по второму способу и дает возможность так подобрать секущую плоскость, чтобы луч испарения, путь кристаллизации и луч кристаллизации одной твердой фазы и координатная ось лежали в этой секущей плоскости. Но для этого она должна проходить через ту координатную ось, на которой откладывается состав первой выпадающей твердой фазы. Такое сечение дает возможность точного построения на ортогональных проекциях предельных точек и лучей кристаллизации при выделении компонентов при испарении и охлаждении растворов и расчета кристаллизации одного компонента. [22]
Страницы: 1 2