Расчет - распределение - электронная плотность
Cтраница 1
Расчет распределения электронной плотности около ядер атомов показывает, что, если электроны имеют антипараллельные спины, их волновые функции складываются и плотность электронного облака между ядрами возрастает. Сложение волновых функций можно наглядно представить в виде перекрывания электронных облаков взаимодействующих атомов. Наоборот, если электроны имеют параллельные спины, то плотность облака между ядрами падает до нуля - электроны как бы выталкиваются из межъядерного пространства, и химическая связь не образуется. [1]
Расчет распределения электронной плотности в молекуле винилфторида показывает, что распределение зарядов полностью соответствует химическим свойствам, проявляемым винилфторидом. [2]
Расчет распределения электронной плотности в молекуле ДФА показал, что максимумы электронной плотности сосредоточены вблизи атомов водорода, атома азота и вдоль связей между атомами углерода ароматических колец, причем распределение электронной плотности на всех связях С-С одинаково. Для молекулы ДФА характерно быстрое спадание электронной плотности с внешних сторон и более медленное - внутри колец, что уже отмечалось для бензола и объясняет существование сил, действующих на ядра кольцевых атомов углерода и направленных к центрам ароматических колец. Электронное облако атома азота имеет форму, вытянутую по оси C-N к атому углерода кольца. В сечении, перпендикулярном к плоскости ароматического кольца и проходящем через связь C-N над и под атомом азота, прослеживается положение неподеленной электронной пары ( НЭП) ( рис. 5.18), гантелеобразная форма которой подтверждает - гибридизацию атома азота в молекулах соединений ДФА ряда. Максимум электронной плотности л - орбитали атома азота сосредоточен на расстоянии 0 02 - 0 04 нм от ядра. [3]
Для расчета распределения электронной плотности между центральным ионом и лигандами комплексов меди ( II) необходимо определить из спектров ЭПР этих соединений значения g - фактора и констант СТС. ЭПР растворов, содержащих медь и лиганды в стехиометри ческих соотношениях, являются характеристиками индивидуальных соединений. [4]
Результаты расчета распределения электронной плотности для сопряженных кислот соответствующих аминов показали, что более существенное влияние, чем введение замещающих групп, оказывает протонирова-ние молекул ДФА и его производных в кислых средах. Значительно изменяется электронное облако мостиковой амино-группы. При протонирова-нии расширяется область высоких значений электронной плотности на расстоянии 0 02 - 0 04 нм от атома азота. [5]
Анализ интенсивности пятен позволяет сделать расчет распределения электронной плотности в кристалле. Таким путем узнают, относятся исследованные кристаллы к атомным, ионным, металлическим или молекулярным, а также устанавливают тип химической связи в молекулах и кристаллах. На рис. 125 показано распределение электронной плотности в кристалле LiF. Характер расположения кривых равной электронной Г1ЛОТНО - сти ( в единицах el К 3) свидетельствует о преимущественном проявлении ионной связи. [6]
 |
Стереоскопический чертеж молекулы витамина В12, вычерченный компьютером.| Распределение электронной плотности в кристалле LiF. [7] |
Анализ интенсивности пятен позволяет сделать расчет распределения электронной плотности в кристалле. Таким путем узнают, являются ли исследованные кристаллы ионными, ковалент-ными, металлическими или молекулярными. На рис. 118 показано распределение электронной плотности в кристалле LiF. [8]
Метод Хартри - Фока используется для расчета распределения электронной плотности, орбитальных энергий и других физических характеристик в атомах и молекулах. В орбитальном приближении часто вместо сложно выражаемых АО Хартри - Фока применяют простые и хорошо аппроксимирующие их АО Слейтера. [9]
Метод Хартри - Фока используется для расчета распределения электронной плотности в атомах ( рис. 19) и молекулах, орбитальных энергий и других физических характеристик. [10]
Как видно из изложенного, наиболее благоприятные условия для расчета распределения электронной плотности возникают в случае центросимметри-ческой структуры с тяжелыми атомами. [11]
 |
Электронная заселенность орбиталей ВН3, NH3 и NH3 - BH3. [12] |
С точки зрения познания природы донорно-акцепторного взаимодействия интересно сопоставить результаты расчетов распределения электронной плотности в исходных компонентах и в комплексе. [13]
На основании одного из этих критериев или их комбинации отбирается два-три наиболее убедительных варианта и для каждого из них проводится расчет распределения электронной плотности. [14]
Главная трудность при этом состоит в том, что экспериментально можно определить только модуль F0 ( hkl) структурной амплитуды F0 ( hkl), тогда как для расчета распределения электронной плотности необходимо знать действительную и мнимую часть структурных амплитуд. [15]
Страницы: 1 2