Расчет - топология
Cтраница 1
 |
Элементы топологии преобразователей. [1] |
Расчет топологии не аподизованного ВШП2 значительно проще. [2]
 |
Элементы топологии преобразователей. [3] |
На этом расчет топологии аяодизованного ВШП1 заканчивается. [4]
Исходными данными для расчета топологии ВШП являются скорость ПАВ на свободной поверхности /, коэффициент электромеханической связи ks, апертура преобразователя WQ, расстояние между контактными площадками WW; расстояние Д между активной - и пассивной частями электродов по оси Y, подтравка по дли е Дг / n и по ширине АЬп электродов, соотношение электрод / по-лупериод dn bnIS n, масштаб М для нарезки фотооригинала фильтра или изготовления промежуточного фотошаблона. [5]
Использование автоматизированных методов для расчета топологии фильтров ПАВ с симметричными АЧХ позволяет существенно повысить качество фильтров. [6]
Ниже рассмотрены достоинства и недостатки основных моделей, используемых при синтезе фильтров, и их пригодность для расчета топологии преобразователей по заданным частотным или временным характеристикам, а также для расчета активной составляющей Ga ( co) проводимости излучения. Поскольку реактивная проводимость излучения 5а ( со) связана с Ga ( u) преобразованием Гильберта, а статическая емкость Ст преобразователя рассчитывается при известной его топологии одинаково для всех моделей, определение Ва ( й) и Ст в этом параграфе рассматриваться не будет. [7]
Электрический расчет, необходимый для установления связей между базовыми структурами и отдельными элементами, должен быть неразрывно связан с расчетом топологии схем. При этом электрические параметры схем оптимизируют на основе результатов расчета и статистических данных технологического процесса. [8]
Следует отметить, что в отличие от схем на дискретных компонентах электрические параметры полупроводниковых ИС сильно зависят от топологии, поэтому после расчета топологии расчет электрической схемы повторяется. При этом на этапе расчета топологии определяются корреляционные зависимости между параметрами активных и пассивных компонентов интегральных схем. [9]
При создании перспективного класса доменных интегральных микросхем ( ДИМ) для приборов и систем автоматики важное мес - то занимают вопросы проектирования и расчета топологии домено-продвигающих схем. Предварительный расчет элементов топологии ( аппликаций) этих схем становится тем более необходимым, если учесть, что весьма малые размеры аппликаций ( порядка единиц микрон) и большое их число в ДИМ ( обычно десятки тысяч) практически исключают физическое моделирование ДИМ и существенно затрудняют вследствие трудоемкости технологии возможности экспериментального подхода при их проектировании. [10]
Конденсаторы с диэлектриком из SiO2 и на основе р-п перехода имеют паразитную емкость по отношению к полупроводниковой пластине, которую следует учитывать при расчете топологии микросхем. [11]
После получения предварительного варианта топологии ИМС приступают к оценке ее качества и оптимизации. С этой целью производят контрольно-поверочные расчеты топологии ИМС, включающие в себя оценку теплового режима и паразитных связей. [12]
Следует отметить, что в отличие от схем на дискретных компонентах электрические параметры полупроводниковых ИС сильно зависят от топологии, поэтому после расчета топологии расчет электрической схемы повторяется. При этом на этапе расчета топологии определяются корреляционные зависимости между параметрами активных и пассивных компонентов интегральных схем. [13]
Электрический расчет схем позволяет установить основные соотношения между электрическими параметрами активных и пассивных элементов. Электрический расчет должен быть неразрывно связан с расчетом топологии схем. Повышение качества ИМС и соответствие их электрических параметров техническим условиям должны прогнозироваться с допустимой вероятностью при расчете. Таким образом, проектирование БИС - это решение целого комплекса задач схемотехнического, топологического, технологического и конструктивного характера, осуществление которого требует машинных методов расчета и проектирования. [14]
Результатом же решения второй задачи синтеза ( реализации) должен быть расчет топологии конструктивных элементов и фильтра ПАВ в целом, отвечающих требованиям, заданным на первом и третьем этапах. [15]
Страницы: 1 2