Расчет - топология
Cтраница 2
 |
Схема полевого транзистора, используемого в качестве активного резистора. [16] |
МДП-транзистор может быть использован также в качестве резистора. Когда U3a 0, сопротивление канала велико. Эта зависимость делает простым расчет топологии для получения необходимого сопротивления резисторов. На рис. 13.17, а приведена схема МДП-транзистора, используемого в качестве резистора. [17]
Если БИС с фиксированной разводкой создаются в непрерывном технологическом процессе, то процесс создания БИС с программируемой разводкой прерывается на стадии создания отдельных компонентов схемы. Далее осуществляется проверка параметров всех компонентов схемы зондовыми измерительными устройствами. Координаты годных компонентов вводятся в ЭВМ для расчета топологии системы проводников. После окончания расчета и изготовления фотошаблонов технологический процесс создания БИС продолжается. Положительной чертой этого способа является повышение выхода годной продукции в производстве. [18]
В топологию металлизации данного уровня входит ряд контактных площадок, необходимых для - контроля правильности функционирования каждой ячейки в отдельности. Следующей операцией является проверка каждой ячейки на функционирование зондовы-ми измерительными устройствами. Информация о координатах расположения годных ячеек вводится в ЭВМ для расчета топологии системы проводников. Машина проектирует топологию металлизации и управляет процессом изготовления комплекта фотошаблонов, необходимых для каждого слоя металлизации. [19]
Автоматизация проектирования бескорпусных полупроводниковых ИС или однокристальных БИС включает этапы расчета активных компонентов, принципиальных электрических схем и топологии. Причина этого и в ограниченных возможностях современных ЭВМ и в различии математических методов решения этих задач. Поэтому система автоматизированного проектирования полупроводниковых ИС и БИС пока состоит из комплекса программ, решающих каждую из трех упомянутых выше задач в отдельности. На этапе расчета активных компонентов производится выбор физической структуры ИС и определяются геометрические и электрические параметры компонентов. Геометрические параметры являются исходными данными для этапа расчета топологии, электрические для этапа расчета электрических схем. [20]
Страницы: 1 2