Расширение - линия
Cтраница 2
Однако расширение линии может возникнуть и из-за уже упоминавшегося магнитного дипольного взаимодействия, вызывающего сдвиги в расположении уровней. Это расширение в твердых телах может быть существенно больше, чем обусловленное спин-решеточной релаксацией. Такое изменение поля может вызвать сдвиг резонансной частоты на 105 Гц. [16]
 |
Преобразование спектров при радиофототелеграфировании. [17] |
Чтобы расширение линии на приеме не превышало допустимых значений, фототелеграфирование осуществляется со сравнительно низкими скоростями, не превышающими 275 - 330 мм / сек, при этом спектр модулирующих частот ( 0 - FMaKC) при передаче машинописного текста не превышает по ширине 400 - 600 гц. [18]
Помимо расширения линий дефекты упаковки приводят к уменьшению интенсивности линий, подвергающихся уширению. Это особенно отчетливо проявляется у линий 100 и 101 в случае гексагональной плотнейшей упаковки и 102 ( в кубической ячейке - 002) - в случае кубической плотнейшей упаковки. Дефекты упаковки вызывают не только расширение линий, но и их смещение. Иногда появляется и асимметрия профиля дифракционной линии. Это тоже легко понять по аналогии с политипией: центр тяжести группы линий, появляющихся на месте одиночной линии при идеальном чередовании слоев, может не совпадать с положением этой линии. Понятно и возникновение асимметрии. Дефекты упаковки могут наблюдаться не только у фаз, построенных по принципу плотнейшей упаковки, но и у других веществ. Помимо специфических условий роста дефекты упаковки появляются, например, при механической обработке металлов. Напили-вание и дробление в ступке приводит к появлению дефектов упаковки. В случае неметаллических объектов появление дефектов упаковки может быть вызвано сухим растиранием. [19]
Однако расширение линий может также возникнуть и вследствие искажений решетки кристаллитов, обусловленных наличием неоднородных внутренних напряжений. Вопрос о причине расширения линий можно решить с достаточной определенностью, если величина расширения велика или если образец был подвергнут тщательному отжигу. Обычно бывает трудно отличить расширение, вызванное малыми размерами кристаллов, от вызванного искажением решетки. [20]
Причиной этого расширения линий является взаимодействие между электроном и решеткой, которая может иметь различные колебательные энергетические состояния. [21]
Влияние на расширение линий решетки мартенсита такого фактора, как слияние составляющих дублета, тоже должно быть исключено по следующей, причине. Из рис. 83 видно, что в мартенсите плавки с пониженной прокаливаемостью на расстоянии 3 - 4 мм от торца около 0 55 % С. При таком содержании углерода составляющие дублета линий хорошо разделяются. Согласно рис. 84 и на расстоянии, меньшем 4 мм от торца, ширина линий мартенсита плавок с пониженной прокаливаемостью больше ширины линий мартенсита плавок с повышенной прокаливаемостью. [22]
Второй причиной расширения линий являются аберрации второго порядка. [23]
В плане расширения линий международной связи наиболее важным является проект создания современной линии цифровой связи, которая должна протянуться через всю Россию. [24]
Показано, что расширение линии при увеличении числа образовавших ее ионов является удобной мерой интенсивности ионных токов. [25]
Таким образом, расширение линий, вызванное остаточными напряжениями, пропорционально tgfh В рассмотренном же выше случае оно было пропорционально sec ( K Этими зависимостями и можно пользоваться для того, чтобы отличать причины расширения линий. [26]
Другими возможными причинами расширения линий могут быть: неудовлетворительная плоскостность подложки, плохое качество обработки ее поверхности и плохой контакт между поверхностями слоя фоторезиста и фотошаблона. Поскольку излучение от любых источников света в какой-то степени рассеивается, то в соответствии с геометрическими правилами оптики любой зазор между слоем эмульсии в поверхности фотошаблона и слоем фоторезиста приводит к расширению экспонированного участка. Степень влияния этих эффектов на качество рисунка зависит от возможностей установки; рисширение линий пропорционально величине зазора между фотошаблоном и подложкой. [27]
Была определена зависимость расширения линий от брэггов-ского угла отражения. В тех случаях, когда расширение линий происходит в результате малых размеров кристаллов, оно увеличивается пропорционально XsecQ. Никакого подобного простого соотношения не было найдено, причем значения [ 3ctg Ь были максимальными для отражений с малыми индексами. Своеобразная, хотя гораздо более закономерная, зависимость расширения линий от индексов наблюдалась Эдвардсом и Липсоном [ 21 а ] на рентгенограмме образца кобальта несовершенной структуры. Подобные наблюдения были сделаны Гофером, Пиблзом и Бином [216] на кобальтовом катализаторе процесса Фишера - Тропша. [28]
Основной причиной, обусловливающей расширение линии, является взаимодействие между ядрами. Если в теле содержатся группы из небольшого числа ядер, то линия спектра ЯМР имеет характерную поддающуюся расчету форму: дублет - для СН2 - групн или изолированных молекул Н20, напр, в кристаллогидратах, триплет - для СН3 - групп. Чаще взаимодействие между ядрами приводит к появлению колоколообразной линии, приближенно описываемой ур-ниями Гаусса или Лоренца. В этом случае теоретически можно рассчитать лишь второй момент линии. Вследствие молекулярного движения локальное магнитное поле в каждой точке не остается постоянным, а изменяется со временем по величине и направлению. В результате наблюдается сужение линии и уменьшение второго момента. [30]
Страницы: 1 2 3 4