Тепловое расширение - кристалл
Cтраница 2
Причиной такой зависимости может быть, например, тепловое расширение кристалла. Действительно, при тепловом расширении вследствие увеличения межатомных расстояний силы взаимодействия между ионами ослабевают, так что образование дефектов и их миграция требуют уже меньших затрат энергии. [16]
Одной из причин такой зависимости может быть, например, тепловое расширение кристалла, приводящее к уменьшению энергии отталкивания атомов, обусловленного перекрыванием их электронных оболочек. [17]
В последних экспериментах, выполненных в нашем институте, обнаружено интересное явление: коэффициент теплового расширения кристаллов вблизи температуры плавления сильно возрастает. [18]
Исследования графита показали, что при температуре ниже 400 С Б направлении, параллельном слоям, тепловое расширение кристаллов отрицательно. [19]
Напряжения в кристалле создаются в стадии охлаждения также из-за большой ( в 2 5 раза) разности коэффициентов теплового расширения кристалла и лодочки. В связи с сильным сцеплением кристалла с лодочкой первый при охлаждении испытывает растягивающие усилия. Уменьшению величины этих усилий на единицу площади способствует увеличение объема кристалла и уменьшение толщины молибденового листа, идущего на изготовление лодочек. [20]
К держателю, выполненному из молибдена, вольфрама или их сплавов и имеющему коэффициент теплового расширения, близкий к коэффициенту теплового расширения кристалла полупроводника, присоединяют кремниевый кристалл с помощью припоя, который представляет собой сплав 0 5 - 8 % сурьмы, 20 % кремния ( или германия, свинца, олова), остальное - серебро. [21]
Основными препятствиями внедрения этого материала являются его плохая спекаемость и относительно низкая механическая прочность, что прежде всего связано с значительной анизотропией теплового расширения кристаллов. [22]
 |
Призма Резерфорда-Броунинга. [23] |
В ультрафиолетовой и инфракрасной областях применение склеенных призм нежелательно как из-за недостаточной прозрачности известных клеящих веществ, так и из-за значительного различия коэффициентов теплового расширения кристаллов, из которых могут быть изготовлены призмы. [24]
Другой довольно обычной причиной появления напряжений бывает захват кристаллом твердых включений и обрастание кристаллом твердого кристаллоносца, особенно в условиях, когда коэффициент теплового расширения кристалла существенно отличается от коэффициента расширения включаемого тела. При этом кристалл, захвативший при высокой температуре такое тело, что уже привело к возникновению кристаллизационного давления, во время снижения температуры вследствие указанной разницы коэффициентов расширения становится напряженным в районе включения в еще большей степени. Эта причина, естественно, тем чаще вступает в действие, чем выше температура, при которой происходил захват, и чем ниже температура, при которой используется кристалл. Напряжения такого типа должны довольно часто встречаться в природных кристаллах. [25]
Отклонения от этой идеальной правильности, обусловленные тепловым движением, сводят при этом к колебаниям атомов около их равновесных положений, сохраняющих идеально правильное распределение, с поправкой на тепловое расширение кристалла. [26]
Аналогичная взаимозависимость между теплотой активации при диффузии ( точнее, между энергией разрыхления решетки Q, равной лишь приближенно Д / /) была установлена еще ранее Грюнайзеном [10] прп решении задачи о тепловом расширении кристалла. [27]
Это соотношение очень хорошо подтверждается на опыте, но еле дует иметь в виду, что показатель 10 определен именно по сжимаемости, и в настоящее время мы не сможем его обосновать иначе, г) Качественное объяснение теплового расширения кристаллов. Тепловое движение в кристаллах может происходить лишь в виде колебаний ионов или атомов около положений равновесия. Но сила пропорциональна отклонению от положения равновесия лишь в первом приближении. Из кривой потенциала ( рис. 11) видно, что при больших отклонениях, при которых надо учитывать высшие члены в разложении потенциала, кривая потенциала становится несимметричной: в сторону меньших г поднимается гораздо круче, чем в сторону больших г. Следовательно, если атом колеблется с определенной энергией около положения равновесия, то его полная энергия становится равной потенциальной энергии при меньших отклонениях от положения равновесия в сторону малых г, чем при отклонении в сторону больших г. В результате среднее расстояние между двумя атомами при повышении температуры ( энергии колебаний) увеличивается, что и является причиной теплового расширения кристаллов ( ср. [28]
Аномально короткое расстояние между атомом кислорода в n - нитроанилине и атомом углерода другой молекулы, соседним с аминогруппой ( Abrahams, Robertson, 1948), казалось, подтверждалось данными Мак-Кеоуна, Уббело-де и Вудварда ( МасКео Уп, Ubbelohde, Woodward, 1951) о высоком коэффициенте теплового расширения кристалла в направлении, почти параллельном этому контакту. Однако, как выяснилось в настоящее время ( Abrahams, Robertson, 1956), неожиданная неоднозначность упаковки в этом кристалле допускает также другой вариант, в котором отсутствуют аномальные ван-дер-ваальсовы расстояния и который, кроме того, приводит к лучшему совпадению между измеренными и вычисленными значениями интенсивностей. [29]
Первая наиболее успешная модель фазовых переходов в сегнетовой соли принадлежит Назону [ I ], в которой рассматривалось упорядочение протонов на водородной связи m - ( H2) ( IO) B предположении, что дипольный момент, возникающий от упорядочения протонов, зависит еще от температуры в связи с тепловым расширением кристалла, в работе [ I ] были подучены две сочки Кюри, модель Нэзо-на была усовершенствована Девонширом [2], который показал, что две точки Кюри могут быть получены в модели Назона и в условиях постоянства объема кристалла, если приписать двум минимумам потенциала водородной связи разные частоты колебаний атомов. [30]
Страницы: 1 2 3 4