Значение - пороговое напряжение
Cтраница 2
Логическая единица кодируется отрицательным напряжением, превышающим по абсолютной величине пороговое напряжение транзистора, а логический нуль кодируется отрицательным напряжением, не достигающим по величине значения порогового напряжения. [16]
Существует класс импульсных стабилизаторов релейного типа, в которых схема сравнения представляет собой релейное устройство, которое срабатывает, если часть выходного напряжения становится равной значению порогового напряжения Unop реле. Недостатком стабилизаторов релейного типа являются относительно высокие пульсации выходного напряжения, так как срабатывание релейного устройства осуществляется только при изменении выходного напряжения. [17]
Это, в принципе, должно обеспечивать большее быстродействие элемента, однако в реальной схеме быстродействие снижается за счет того, что при формировании нулевого выходного уровня напряжение Рис 7.9 Однотактный элемент на затворе транзистора Т % с резистивно-емкостной связью, оказывается ниже единичного входного уровня а значение порогового напряжения транзистора. В то время как во всех ранее рассмотренных элементах на затворы транзисторов ( кроме информационного) подается полная амплитуда тактового импульса, в данном элементе максимальное напряжение на затворе транзистора Т2 ограничено величиной Di-2. [18]
Пороговое напряжение транзисторов с индуцированным р-кана-лом составляет около - 4 В в отличие от / г-канальных транзисторов, для которых оно может колебаться от долей до одного вольта. Отличие значений пороговых напряжений п - и р-канальных транзисторов затрудняет создание комплементарных структур. Кроме того, обычные р-канальные транзисторы плохо согласуются с биполярными структурами в логических схемах типов ТТЛ и ДТЛ. [19]
По аналогии с рассмотренными ранее случаями подача отрицательного напряжения на затвор вызывает обеднение канала вследствие отталкивания электрическим полем электронов в подложку. Более того, при некотором значении порогового напряжения ток стока почти прекращается, иначе говоря, наступает отсечка тока. [20]
Если величина входного сигнала сравнима со значением порогового напряжения, или этот сигнал близок к опорному по амплитуде, неизбежно возникает ошибка измерений. Однако эта погрешность может быть минимизирована при помощи соответствующего усиления входного сигнала. [21]
Важным параметром логических ИМС является статическая помехоустойчивость. В схемах с резистивной и резистивно-емкостной связями относительно входной отпирающей помехи она определяется значениями порогового напряжения и напряжения участка коллектор - эмиттер в режиме насыщения. [22]
Делитель опорного напряжения состоит из 256 низкоомных резисторов, общее - сопротивление которых не превышает 600 Ом. Входные токи КН, протекая через резисторы делителя, вызывают существенные искажения эталонных напряжений, что приводит к случайным изменениям значений пороговых напряжений срабатывания КН и появлению дополнительной погрешности преобразования. Компенсация этой погрешности, которая может достигать 0 2 МР, и восстановление нелинейности в пределах нормы достигаются корректировкой сопротивлений резисторов делителя извне. Кроме тою, резисторный делитель имеет специальные выводы от каждой четвертой части для подключения внешних корректирующих напряжений и дополнительного воздействия на нелинейность характеристики преобразования АЦП. [23]
 |
Схемы базовая ( а и эквивалентные ( б шеститранзисторной ячейки ЗУПВ. [24] |
Транзисторы Т2 - ТЬ образуют схему с двумя устойчивыми состояниями, причем ключевые транзисторы Т3 и Т6 представляют собой приборы МДП-типа с индуцированным - каналом, а транзисторы Т2 и Т1 - приборы МДП-типа со встроенным n - каналом. Как показано в § 2.6 и § 3.6, транзисторы МДП-типа со встроенным л-каналом отличаются от транзисторов МДП-типа с индуцированным л-каналом значениями пороговых напряжений, при которых эти транзисторы начинают проводить ток. Соответствующая эквивалентная схема запоминающего элемента приведена на рис. 6.5, б и представляет собой две перекрестно связанные ключевые схемы. [25]
Другая методика определения концентрации свободных электронов при различных напряжениях на затворе основана на измерениях осцилляции магнитосбпротивления Шубникова - де Гааза при умеренных полях в зависимости от Ус и напряженности магнитного поля. Экстраполяция к нулевому магнитному полю веерных диаграмм, показывающих положение уровней в зависимости от величины поля и напряжения на затворе, дает значение эффективного порогового напряжения, по крайней мере для случая, когда размытие краев зон несущественно. [27]
 |
Влияние скорости изгиба образца углеродистой стали в виде балки на скорость коррозионного растрескивания в карбонатно-бикарбо-натном растворе. [28] |
Скорость растворения металла определяется исключительно электрохимическими особенностями корродирующей системы. Дополнительное действие напряжений и электрохимического фактора в этой модели, включающей создание обнаженного металла в вершине трещины за счет пластической деформации, состоит или в сильном изменении величины интервала скоростей деформации, в котором имеет место растрескивание, или значений пороговых напряжений ( при испытании по методу заданных постоянных нагрузок) в зависимости от условий внешней коррозионной среды. Такие эффекты действительно наблюдаются: кривая рис. 5.9 имеет тенденцию к заметному смещению вдоль оси соответствующей скорости деформации при изменении состава окружающей среды или при наложении достаточно больших плотностей анодного или катодного токов. [29]
Если напряжение ниже некоторого критического значения 7 ( 400 F 450), то картина течения принципиально изменяется: Г - слои не возникают, слоистая структура исчезает. Таким образом, значения порогового напряжения в расчете и эксперименте близки. [30]
Страницы: 1 2 3