Значение - пороговое напряжение
Cтраница 3
Этот параметр характерен только для транзисторов с изолированным затвором. При заданном напряжении на стоке начинают от нуля плавно увеличивать напряжение на затворе. При этом по вольтметру VI фиксируют значение порогового напряжения. [31]
 |
Гидравлическая модель, иллюстрирующая принцип работы усилителя на МДП-траизисторе и на полевом транзисторе. [32] |
Существуют МДП-транзисторы с встроенным каналом в виде тонкого приповерхностного слоя, который обычно изготовляют методами ионного легирования. Проводимость встроенного канала модулируется при обеих полярностях напряжения на затворе. Поскольку в таких транзисторах канал существует при нулевых напряжениях на затворе, значение порогового напряжения для них теряет смысл. Для транзисторов с встроенным каналом вместо порогового напряжения вводят параметр - напряжение отсечки. Это напряжение, при котором равновесные электроны уходят из встроенного канала, в результате чего цепь исток - сток разрывается. В дальнейшем рассматриваются только транзисторы с индуцированным / i-кана-лом как наиболее распространенные. [33]
К) 15 см-3) обеспечивает малые емкости р-п переходов. Большая толщина увеличивает емкости на нижних границах слоев / и боковых границах слоев 4, а меньшая - не обеспечивает приемлемого напряжения смыкания. Тонкий ( менее 0 1 мкм) слой 3 / 7-типа определяет значение порогового напряжения. Толстые ( х0 0 5 мкм) сильнолегированные области 4 дают малые сопротивления истока, стока. Из-за низкой концентрации примесей подложка имеет большое сопротивление г, что ведет к появлению значительных помех при работе СБИС. Для снижения / - используют более сложную структуру, где транзисторы формируют в тонком эпитаксиальном слое р - - гипа, нанесенном на сильнолегированную подложку /; - типа. [34]
Преобладание таких структур над структурами с каналом n - типа обусловлено простотой управления поверхностными свойствами окисленного кремния в р-канальной технологии. Обычно в практических случаях изменение плотности поверхностных состояний, которое у р-канальных МДП-транзисторов вызывает изменение значения порогового напряжения, оказывается достаточным для перевода н-канального МДП-транзистора из режима обогащения в режим обеднения. Поэтому МДП-транзисторы с каналом р-типа характеризуются лучшей воспроизводимостью, что и определило их преимущественное использование для реализации МДП-ИМС. [35]
 |
Структура и схема включения фототиристора [ IMAGE ] - 14. Вольт-амперные характеристики фототиристора. [36] |
Представляют интерес МДП-фототранзисторы с индуцированным ( инверсным) каналом. Они имеют полупрозрачный затвор, через который освещается область полупроводника под затвором. В этой области происходит фотогенерация носителей заряда. За счет этого изменяется значение порогового напряжения, при котором возникает индуцированный канал, а также крутизна, являющаяся основным параметром такого транзистора. На затвор иногда подают постоянное напряжение для установления начального режима. [37]
 |
Временной сдвиг vn-ja завала тактовых импульсов. [38] |
Скос фронтов тактовых импульсов оказывает большее влияние на схемы КМОП, чем на ТТЛ. В рассматриваемом примере два регистра сдвига тактируются фронтом с большим временем нарастания. Проблема возникает из-за того, что порог срабатывания у первого регистра может оказаться ниже, чем у второго, в результате чего его сдвиг произойдет раньше и последний бит первого регистра будет потерян. Дело еще осложняется тем, что значения пороговых напряжений для устройств на КМОП колеблются в очень широком диапазоне ( фактически они могут принимать любое значение в пределах от 1 / 3 до 2 / 3 Ucc и они принимают. [39]
Страницы: 1 2 3