Cтраница 1
Значения напряженности поля в данной точке х и концентраций положительных и отрицательных ионов устанавливаются такими, чтобы плотность тока (76.2) всюду была постоянна. [1]
Петля магнитного гистерезиса.| Семейство петель магнитного гистерезиса. [2] |
Значение напряженности поля Н с, необходимое для того, чтобы довести магнитную индукцию до нуля ( В 0), называется коэрцитивной силой по индукции. [3]
Значение напряженности поля в месте установки ИЭЗ-П определяется напряжением, приложенным к шару, его радиусом и расстоянием до центра шара. Изменяя потенциал шара, можно проводить проверку основной погрешности. [4]
Характеристика однотакт-ного магнитного усилителя в релейном режиме. [5] |
Значение напряженности поля управления, при которой возникает возрастающий скачок выходной величины, называют напряженностью срабатывания, а напряженность, обусловливающую обратный ( уменьшающийся) скачок, - напряженностью отпускания. Соответственно определяются и токи отпускания и срабатывания. [6]
Петли магнитного гистерезиса [ IMAGE ] Основные кривые намагничивания некоторых ферромагнитных материалов. [7] |
Значение напряженности поля Нс, необходимое для уничтожения поля в сердечнике, называют коэрцитивной ( задерживаю щ и) силой. [8]
Характеристика однотакт-ного магнитного усилителя в релейном режиме. [9] |
Значение напряженности поля управления, при которой возникает возрастающий скачок выходной величины, называют напряженностью срабатывания, а напряженность, обусловливающую обратный ( уменьшающийся) скачок, - напряженностью отпускания. Соответственно определяются и токи отпускания и срабатывания. [10]
Схема пакета секции сухого электролитического конденсатора / - анод. 2 - катод. 3 - прокладка. [11] |
Такие значения напряженности поля в десятки раз превосходят допускаемые рабочие напряженности поля в изоляции конденсаторов всех других типов, что и определяет в первую очередь малые габариты электролитических конденсаторов. [12]
Зависимость добротности Q катушек индуктивности на сердечниках ряда Б из феррита 1000НМЗ от частоты / при НА 0 8 а / м ( - 10 мэ. [13] |
Обычно значению напряженности поля, при котором измеряется добротность, не уделяют внимания. [14]
Примеры формирования доменных структур заданной конфигурации. [15] |