Cтраница 2
Яколл - значение напряженности поля коллапса, выше которого домен коллапсирует. [16]
Техническое получение значений напряженности поля, достаточных для возникновения электростатической эмиссии, представляет определенные трудности, однако в настоящее время уже имеются приборы, использующие это явление. [17]
Техническое получение значений напряженности поля, достаточных для возникновения электростатической эмиссии, представляет значительные трудности. Поэтому электростатическая эмиссия в основном применяется в ионных приборах с жидким ртутным катодом. [18]
При использовании значений напряженности поля для вычисления ESE необходимо учесть следующие особенности. [19]
При некотором значении напряженности поля - Н ое получим магнитную индукцию, равную нулю, и испытуемый материал утратит магнитные свойства. Это значение напряженности, характеризующее магнитное свойство испытуемого металла, носит название коэрцитивной силы. [20]
При некотором значении напряженности поля в грунте начинают происходить сложные физико-химические процессы, в результате которых удельное сопротивление грунта уменьшается. При дальнейшем возрастании тока напряженности поля вблизи заземлителя достигают критического значения Е - ар, при котором возникает электрический пробой грунта, развивающийся в виде разветвленных проводящих каналов. Эти каналы шунтируют участки земли, прилегающие к электроду, размеры которого как бы увеличиваются. [21]
Соответствующее этой индукции значение напряженности поля Н3 вновь находится по кривой размагничивания. [22]
После этого увеличивают значение напряженности поля и производят ту же самую операцию. Таким образом измеряют значения для всех точек основной кривой индукции. [23]
Основы магнитной записи.| Запоминающее устройство с продольной магнитной записью. а - стирающая. б - записывающая. в - считывающая головка. [24] |
Если мгновенное ч значение напряженности поля записывающей головки в момент прохождения участка носителя равно Н Нт, то в процессе записи рабочая точка этого участка обегает по частному циклу путь О-Г-2 и остаточная индукция его меньше, чем индукция предыдущего участка носителя. [25]
Схематическое изображение электрического поля световой волны в плоскости падения. [26] |
В окрестности точки хя значение напряженности поля х ( х) имеет резкий максимум, и поэтому именно окрестность х х может иметь наиболее важное значение при рассмотрении внешнего фотоэффекта. [27]
Напряженность поля в оксидных слоях. [28] |
В табл. 11 приведены значения напряженности поля в конце формовки для ряда вентильных металлов. [29]
По оси абсцисс отложены значения напряженности поля в кв / см. Влияние частоты2 наиболее отчетливо выражено для очень разбавленных растворов и постепенно исчезает по мере возрастания концентрации. Влияние концентрации иллюстрируется рис. 46, на котором изображены графики зависимости коэффициента наклона ( ДхМ ( Хо) - - 1) / ( 10 - 3F) от частоты. Теоретическое значение коэффициента наклона ( 0 0132) для каждой концентрации обозначено горизонтальной линией со стрелкой в левой части рисунка. [30]