Расщепление - полоса - поглощение
Cтраница 1
Расщепление полос поглощения на определенное число компонентов зависит от симметрии кристалла и может поэтому служить предметом исследования. Теоретико-групповой анализ колебательных спектров позволяет решать ряд кристаллографических задач, в частности определять локальную симметрию ионов и пространственную группу кристалла, причем в этих случаях спектроскопический метод имеет преимущества перед рентгенографией как в отношении менее жестких требований к качеству объекта исследования, так и с принципиальной точки зрения. [1]
Расщепление полосы поглощения карбонильной группы связано с наличием в молекуле димерной и мономерной форм. Причем колебание с более высокой частотой соответствует мономерной форме, а с низкой - димерной. Сопряжение с ацетиленовой связью не оказывает влияния на частоту колебания карбонильной группы. [2]
 |
Спектр ЯМР Н смеси 3 - МЦПЕ и 4 - МЦПЕ. а широкая развертка. б узкая развертка Температура, С. ( а - 25, ( б - 65. [3] |
Расщепление полосы поглощения метильной группы на две, характерное для случаев присоединения к одному углеродному атому двух метальных групп или для изопро-пильной группы, не должно иметь место, поскольку соответствующие продукты при изомеризации циклогексена не образуются. [4]
 |
Расщепление энергетических уровней rf - орбиталей в тетраэдри. [5] |
Величина расщепления полос поглощения кристаллическим полем зависит от нескольких факторов. Особенно существенной является природа лигандов. [6]
Этим явлением, может быть, объясняется расщепление полосы поглощения вырожденного колебания иона COf - в кальците ( фиг. [7]
Взаимодействие между соседними цепями в кристаллической области полимера вызывает расщепление полос поглощения. Число пиков в расщепленной полосе может достигать числа цепей, проходящих через элементарную ячейку. Для полиэтилена это число равно 2 ( см. гл. Если для такой расщепленной полосы лишь один из двух компонент является активным в ИК-спектре, то может оказаться, что эта полоса поглощения в спектре кристаллического образца сдвинута по сравнению со своим положением в спектре образца, находящегося в аморфном состоянии. [8]
Характер изменения вида спектра, интенсивность, ширина или расщепление полос поглощения связей Si - Н, Si-Me, M-О позволяют сделать ряд выводов. [9]
Наличие магнитных ядер в окружении парамагнитного центра приводит к расщеплению полос поглощения или, как говорят, к появлению сверхтонкой структуры ( СТС) спектра ЭПР. [10]
В отличие от термина сверхтонкое расщепление термин тонкое расщепление используется для описания расщепления полосы поглощения в результате невырождения, возникающего при расщеплении в нулевом поле. Компоненты тонкого расщепления имеют различные интенсивности: наиболее интенсивны центральные линии и наименее интенсивны внешние линии. [11]
Рассматривается только аморфное состояние образца, так как в кристаллическом состоянии мы имели бы дополнительные сдвиги и расщепление полос поглощения. [12]
В общем довольно трудно при помощи простой электростатической модели объяснить ту или иную способность различных лигандов вызывать расщепление полос поглощения. [13]
Более отчетливо заметен сдвиг максимумов светопоглощения в длинноволновую область при переходе от хлоридов к иодидам; кроме того, происходит расщепление полос поглощения. [14]
Особенно этому подвержены слож - ТГые молекулы красителей, БоЛьшей частью максимум поглощения в спектре димера смещен относительно спектра мономера в коротковолновую часть спектра. Иногда наблюдается расщепление полос поглощения. [15]
Страницы: 1 2 3