Cтраница 2
Задача 1.13. Определить расщепление уровня энергии иона инертного газа, который взаимодействует с атомом инертного газа на больших расстояниях, обусловленное дальнодействующим взаимодействием. [16]
Такое своеобразное изменение расщепления уровня должно быть связано с упомянутым выше постепенным переходом с изменением кристаллической структуры. По-видимому, ниже температуры перехода в решетке имеются ионы двух разных типов с различным расщеплением. Интенсивности линий поглощения говорят о том, что оба типа распространены приблизительно одинаково. Существование двух групп ионов с различным расщеплением уровней должно приводить к наличию в теплоемкости двух пиков, имеющих форму С на фиг. Этот вывод находится в качественном согласии с результатами Блини, однако, к сожалению, он не может объяснить их количественно. Высокотемпературный хвост ( соответствующий принятому значению Й0 24 К) может быть интерпретирован, если 15 % ионов имеют расщепление 0 388 К и 85 % - 0 22 К, но такое предположение находится в явном противоречии с анализом интенсивностей спектра, о котором говорилось выше. Кривую теплоемкости ниже 0 2 К не удается объяснить никаким процентным распределением этих расщеплений между ионами. [17]
Fco приводят к расщеплению уровня энергии атома на подуровни, относительное расположение к-рых во мн. [18]
Часть / ( - спектра поглощения серы в тиосульфате натрия. [19] |
Число компонент определяется расщеплением уровня, на который происходит переход ( р - или d -) в полях различной симметрии. [20]
На рис. 34 слева изображено расщепление уровня с N 2 невозмущенного осциллятора, а справа представлена картина нижних одночастичных уровней для рассматриваемой модели. [21]
Таким образом, хотя само расщепление первоначально вырожденного уровня энергии не связано с принципом Паули, учет этого принципа значительно увеличивает это расщепление. [22]
Расщепление во внешнем электрическом поле тонких компонент линии На. [23] |
По сказанному, в слабом электрическом поле расщепление уровня 2Рз / 2 равно нулю. [24]
Дифференциальная кривая поглощения фосфора КВг - Sn. [25] |
Тонкая структура этой полосы может возникнуть вследствие расщепления уровня 5 s 5p 1Р, вызванного внутри-кристаллическим штарк-эффектом. [26]
Весьма заслуживающим внимания представляется также прогнозируемое явление расщепления уровня с данным I на два подуровня, заполнение которых происходит в далеко отстоящих друг от друга интервалах Z; здесь закономерности электронной периодичности как бы сближаются с таковыми для периодичности нуклонной. [27]
Этот вывод соответствует положению теории кристаллического поля о расщеплении уровня d - электро-нов на / 2g и eg в октаэдрическом поле. Теория поля лигандов не нуждается в электростатических построениях для объяснения разделения орбиталей, образованных d - уровнем, на / 2 -и е - уровни. Разли-чие в энергии между ними - обычное различие между связывающими и несвязывающими уровнями. [28]
Этот вывод соответствует положению теории кристаллического поля о расщеплении уровня d - электро-нов на tzg и eg в октаэдрическом поле. Теория поля лигандов не нуждается в электростатических построениях для объяснения разделения орбиталей, образованных d - уровнем, на tzg-w. [29]
Составление секулярного уравнения можно упростить, заметив, что расщепление уровня заведомо не может быть полным - должно оставаться двукратное ( крамерсовское) вырождение. [30]