Расщепление - уровни - энергия
Cтраница 1
Расщепление уровней энергии, определяемое формулой ( 69 13), носит название аномального эффекта Зеемана. [1]
Расщепление уровней энергии в зависимости от спина происходит под влиянием магнитного поля. В невырожденном состоянии орбитальное движение электронов не создает магнитного поля, и энергия от спина не зависит. [2]
Расщепление уровней энергии - расстояние между зеемановскими уровнями - по порядку величин лежит в сантиметровой области. Путем поглощения энергии микроволн можно индуцировать электронный переход с низкого зеемановского уровня на более высокий. Измерение этого поглощения, хотя и связано с большими техническими трудностями, позволяет получить интересные данные о локализации электронов. [3]
 |
Схема расщепления в магнитном поле основного и первого возбужденного уровней частицы с одним электроном. [4] |
Расщепление уровней энергии частицы в магнитном поле было экспериментально обнаружено Зееманом. [5]
Расщепление уровней энергии молекулы аммиака имеет важные практические применения, которые мы опишем в следующей главе. [6]
Обычно расщепления уровней энергии за счет вращат. Зеемана малы и для их точного измерения используют магн. Следует отметить, что в таких сильных полях, вследствие магн. [7]
 |
Ионы с орбитально невырожденными основными состояниями. [8] |
Если расщепление уровней энергии иона в кристаллическом поле настолько велико, что электроны занимают только низкорасположенную группу уровней, то ион находится в низкоспиновом состоянии. [9]
Такое расщепление уровней энергии электрона в магнитном поле делает возможным поглощение энергии Е электроном в нижнем энергетическом состоянии с переводом его в верхнее состояние. [10]
Такое расщепление уровней энергии электрона в магнитном поле делает возможным поглощение энергии Е электроном в нижнем энергетическом состоянии с переводом его в верхнее состояние. Это совершается при облучении свободного радикала, находящегося в постоянном магнитном поле / /, коротковолновым излучением hv Е g H. Именно при длине волны этого излучения, определяемой данным соотношением, наступает резонансное поглощение. [11]
На величину расщепления уровней энергии кристаллическим полем влияют заряд центрального иона и тип имеющихся у него - электронов. С возрастанием заряда иона значение Д увеличивается, так как лиганды ближе подходят к иону и, следовательно, вызывают большее расщепление rf - уровня. В подгруппах rf - элементов при переходе от 4-го к 5-му и в особенности к 6-му периодам значение А однотипных комплексов заметно возрастает. [12]
На величину расщепления уровней энергии кристаллическим полем влияет степень окисления центрального атома и тип имеющихся у него d - электронов. С увеличением степени окисления d - элемента ( возрастания заряда иона) А увеличивается, так как лиганды ближе подходят к центральному иону и, следовательно, вызывают большее расщепление d - уровня. В подгруппах d - элементов при переходе от 4-го к 5-му и в особенности к 6-му периоду А однотипных комплексов заметно возрастет. Это объясняется тем, что 4d - и Sd-орбитали простираются в пространстве дальше от ядра, чем Зс ( - орбитали. [13]
В результате расщепления уровней энергии расщепляются и спектральные линии в спектре А. [14]
На величину расщепления уровней энергии кристаллическим полем влияет степень окисления центрального атома и тип имеющихся у него d - электронов. С увеличением степени окисления d - элемента ( возрастания заряда иона) А увеличивается, так как лиганды ближе подходят к центральному иону и, следовательно, вызывают большее расщепление d - уровня. В подгруппах d - элементов при переходе от 4-го к 5-му и в особенности к 6-му периоду А однотипных комплексов заметно возрастет. Это объясняется тем, что 4d - и Sd-орбитали простираются в пространстве дальше от ядра, чем Sd-орбитали. Это отвечает более сильному отталкиванию электронов и лигандов и соответственно большему расщеплению 4d - и Ы - уровней по сравнению с Sd-уровнем. [15]
Страницы: 1 2 3 4