Расщепление - энергетические уровни - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Мы не левые и не правые, потому что мы валенки Законы Мерфи (еще...)

Расщепление - энергетические уровни

Cтраница 2


Характер и величина расщепления энергетических уровней, как правило, различны для различных углов между какой-либо кристаллографической осью и направлением внешнего магнитного поля.  [16]

17 Взаимосвязь между стандартными энтальпиями и энергиями Гиббса образования оксидов ЭО ( / - элементов четвертого периода. [17]

Возникновение окраски объясняется расщеплением энергетических уровней ионов / - элементов в поле лигаидов; это делает возможным переход ( при поглощении квантов света) / - электронов с низшего энергетического уровня на высший ( см. разд.  [18]

19 Энергии кристаллических решеток ЭС1г ( ккал. моль. [19]

Происходящее под воздействием лигандов расщепление энергетических уровней d - орбиталей центрального атома и влияние такого расщепления на различные свойства веществ объединяют под названием теории кристаллического поля. Как видно из изложенного выше, теория эта открыла возможность количественного подхода к трактовке цветности соединений переходных металлов и позволила понять некоторые другие их особенности. Под влиянием этих успехов иногда наблюдается преувеличенная оценка ее значения как теоретической основы химии комплексных соединений.  [20]

Происходящее под воздействием лигандов расщепление энергетических уровней rf - орбиталей центрального атома и влияние такого расщепления на различные свойства веществ объединяют под названием теории кристаллического поля. Как видно из изложенного выше, теория эта открыла возможность количественного подхода к трактовке цветности соединений переходных металлов и позволила понять некоторые другие их особенности. Под влиянием этих успехов иногда наблюдается преувеличенная оценка ее значения как теоретической основы химии комплексных соединений.  [21]

22 Изменение тепловых эффектов растворения веществ в воде, подвергнутой магнитной обработке. [22]

В данном случае происходит расщепление энергетических уровней молекул. При этом расщепление энергетических уровней локализованных электронов существенно не влияет на взаимодействие молекул. Основные же изменения во взаимодействии молекул обусловлены расщеплением уровней делокализованных электронов водородных связей. При тепловом равновесии существует избыток магнитных моментов молекул.  [23]

Заметим, что благодаря расщеплению энергетических уровней кратность вырождения несколько изменяется.  [24]

Несимметричное окружение приводит к расщеплению энергетических уровней, которые являются вырожденными у изолированного иона. Это явление особенно характерно для более тяжелых переходных элементов, у которых внутриионное спаривание спинов осуществляется наиболее легко.  [25]

А мы видели, что расщепление энергетических уровней обусловлено, во-первых, электростатическим полем анионов, а именно взаимодействием индуцированный диполь аниона - водородная связь, и, во-вторых, дипольными полями сольватирующих молекул.  [26]

27 Орбитали dz2 и А2 - 2 в октаэдрическом поле лигандов. [27]

Возникающее при этом воздействии лигандов расщепление энергетических уровней схематически показано на рис. 1.566. Разность между энергиями высоких и низких j - орбиталей, называемая энергией расщепления энергетических уровней Д, зависит от числа и природы лигандов и от конфигурации комплекса. Если лиганды и их расстояния от центра комплексооб-разователя одинаковы, то энергия Д при тетраэдрическом окружении комплексообразователя составляет 4 / 9Д0кт при октаэдрическом окружении.  [28]

29 Орбитали rf J и rf V в октаэдрическом поле лигандов. [29]

Возникающее при этом воздействии лигандов расщепление энергетических уровней схематически показано на рис. 1.566. Разность между энергиями высоких и низких с / - орбиталей, называемая энергией расщепления энергетических уровней Д, зависит от числа и природы лигандов и от конфигурации комплекса. Если лиганды и их расстояния от центра комплексооб-разователя одинаковы, то энергия Д при тетраэдрическом окружении комплексообразователя составляет VA r при октаэдрическом окружении.  [30]



Страницы:      1    2    3    4