Cтраница 3
А-мультиплет линий для единственного сигнала при сверхрегенеративной схеме. Б - единственная линия при регенеративной схеме для того же сигнала, что и в А. [31] |
Вторым фактором, определяющим степень расщепления энергетических уровней квадруполя, является градиент поля q на ядре, вызванный электронным распределением в молекуле. [32]
Наличие локального поля приводит к расщеплению энергетических уровней; спектр поглощения при резонансе приобретает сложную форму. [33]
Взаимное наложение ивух спектров ЯМР. [34] |
Наличие локального поля приводит к расщеплению энергетических уровней и к размытию спектра поглощения при резонансе. Хотя напряженность локального поля невелика и составляет 5 - 10 Э при напряженности внешнего поля Я0 - 10000 Э, тем не менее ввиду очень большого числа взаимодействующих между собой протонов ( а также изолированных групп протонов) локальное поле приводит к появлению спектра поглощения, имеющего сложную форму и конечную полуширину. [35]
Тонкая структура спектра ЭПР обусловлена расщеплением энергетических уровней в кристаллическом поле. [36]
В дальнейшем нас будет интересовать именно расщепление энергетических уровней d - орбиталей полем лигандов. [38]
При одном и том же ионе-комплексообразователе расщепление энергетических уровней d - орбиталей тем больше, чем сильнее поле, создаваемое лиган-дами. [39]
На рис. 1.4.2 показаны сдвиг и расщепление энергетических уровней димера по отношению к уровням мономера. В зависимости от относительных величин W и W и взаимной ориентации моментов перехода мономеров сдвиг спектральных линий может происходить либо в фиолетовую, либо в красную область спектра. Разрешенные дипольные переходы определяются моментами перехода ( см. разд. [40]
Другим следствием большой концентрации примесей является расщепление примесных энергетических уровней с образованием примесных энергетических зон, которые примыкают к зоне проводимости в л-области и к валентной зоне в р-области. [41]
Как уже было отмечено при рассмотрении расщепления энергетических уровней, спин несколько ослабляет влияние релятивистского изменения массы от скорости. Это приводит к тому, что релятивистские эффекты с учетом спина обусловливают неустойчивость атомов лишь для значений Z, лежащих за пределами существующей периодической системы элементов. [42]
Как теория кристаллического поля объясняет схему расщепления энергетических уровней rf - электронов в тетра - и октаэдрическом поле. [43]
Наряду с магнитными свойствами представление о расщеплении энергетических уровней комплексообразователя может быть использовано для объяснения окраски комплексных соединений. Состояние возбуждения существует недолго, и система возвратится в исходное состояние. [44]
Наряду с магнитными свойствами представление о расщеплении энергетических уровней комплексообразователя может быть использовано для объяснения окраски комплексных соединений. Состояние возбуждения существует недолго и система возвратится в исходное состояние. [45]