Слабое расщепление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если вы спокойны, а вокруг вас в панике с криками бегают люди - возможно, вы что-то не поняли... Законы Мерфи (еще...)

Слабое расщепление

Cтраница 2


На рис. 78 показано, как меняется вид этого триплета при различной степени разрешения. Без вращения трубки ( рис. 78, б) видно лишь слабое расщепление сигнала метильной группы на триплет. Пиковая интенсивность сигнала также мала. Развертка спектра ( рис. 78, а) сделана при вращении трубки. Вращение трубки с образцом приводит к резкому увеличению пиковой интенсивности. Сигнал превращается в четкий триплет, причем каждая из его компонент имеет дальнейшее расщепление.  [16]

17 Составные мультиплеты типа А-части спектра систем AXnYm. Все спектры даны для случая. [17]

При повышении / / б до значений порядка 0 05 возникают первые признаки сильной связи в виде искажений интенсивностей дублета и квартета. Дальнейшие изменения спектра изображены на рис. 6.6. При / / 6 0 1 появляются слабые расщепления исходных компонент.  [18]

Как и в атомах ( см. выше), спин-орбитальная связь может приводить к расщеплению электронных уровней энергии молекул. Например, у парамагнитных молекул ( NO, O2) при высоком разрешении наблюдается слабое расщепление линий фотоэлектронного спектра ( - 1 эВ), обусловленное спин-орбитальной связью неспаренного электрона. Вообще эта связь для двухатомных и линейных многоатомных молекул описывается векторной схемой электронных моментов - орбитального, спинового и полного.  [19]

Хотя теория МО и дает возможность определять изменение энергетических уровней орбиталеи, вызываемое введением различных лигандов, однако это связано со сложными расчетами или же с использованием эмпирических или полуэмпирических методов. С позиций этой теории, повышению энергетического уровня орбиталеи dxy, dxz и & уг в окта-эдрическом комплексе будут способствовать те лиганды, которые вызывают лишь слабое расщепление d - электронных уровней. Как видно из рис. П-4, на котором схематически сопоставлены энергетические уровни d - орбиталей для свободного иона ( расщепления d - уровней нет) и комплексов различных конфигураций, уменьшение расщепления в пределе приближает энергетический уровень к энергетическому уровню свободного иона.  [20]

В уравнениях ( 1 23) и ( 1 26) не учитывается существование резонансов Ферми, а также не принимается во внимание более тонкое взаимодействие вырожденных колебаний, приводящее к слабым расщеплениям уровней, если эти уровни соответствуют возбуждению двух или более вырожденных колебаний ( см. [23], стр.  [21]

Интересно отметить, что интенсивность полос v7 сильно понижается у соединений, для которых X представляет многоатомную группу. Молекулы этих соединений обычно обладают симметрией Cs, для которой полосы каждого из вырожденных колебаний ( vs-vs) должны были бы расщепляться на две частоты. Слабое расщепление ve наблюдается в колебательном спектре метилмеркуразида [11], найденное значение частоты VG для которого необычайно низко.  [22]

В общем случае Х - часть спектра АВХ содержит шесть линий, из них две - комбинационные. В данном случае комбинационные Пинии имеют ничтожную интенсивность; это подтверждается сравиеинем иитен-сивностей пар линий в области 440 и 447 Гц. Таким образом, слабое расщепление слабопольиой части спектра может быть виртуальным и не соответствовать какой-то определенной константе. Это означает, что наиболее естественная интерпретация сигнала 1 ( рис. 6.11, Л и обсуждение в § 5) может оказаться ложной. Однако окончательное решение этого вопроса требует проведения итераций.  [23]

24 Распределение заряда в инверсионном слое на поверхности ( 100Si при Г 150 К. 1 - классический расчет. 2 - квантовомеханн-ческий. Пунктирной линией выделен вклад нижней подзоны в квантовомеханнческое распределение заряда. Концентрация электронов в инверсионном слое Wj Ю см-2, NA 1 5 1016CM - 3. [24]

Другим критерием важности квантовых эффектов является распределение электронов по подзонам, принадлежащим различным; долинам зоны проводимости. Согласно классическому подходу, все шесть долин в кремнии заполнены одинаконо. К и низкой концентрации электронов, которой соответствует слабое расщепление энергетических уровней.  [25]

Для сигнала В ( протон Н3) теоретический спектр дает четыре линии с частотами 173 58; 173 65; 188 68 и 188 75 Гц. Эти линии обнаруживают небольшое расщепление порядка 0 1 Гц. Хотя эти расщепления ие обнаруживаются экспериментально, выше указывалось, что повышенная ширина сигналов экспериментального спектра не исключает наличия слабых расщеплений порядка 0 1 - 0 2 Гц.  [26]

Однако мы не должны понимать спин ядра слишком буквально - как вращение составных частей ядра. Может быть, в действительности и происходит вращение, однако мы не имеем никаких прямых доказательств. То, что мы можем установить экспериментально, это, во-первых, определенная смена интенсивностей для последовательных линий полосатого спектра и, во-вторых, чрезвычайно слабое расщепление некоторых спектральных линий - сверхтонкая структура.  [27]

28 Спектры SiC2 ( подпись к 70. [28]

Из анализа рис. 68 - 71 следует, что в окислах непереходных элементов можно выделить три полосы. В ней имеется все же небольшая примесь р - и s - состояний центрального атома. В случае SiO2, где связь носит сравнительно ковалент-ный характер, в этой полосе наблюдается слабое расщепление на компоненты.  [29]

30 Спектр поглощении тонкой монокристаллической пленки гексжл илйензола [ С ( С. Я ] в поляризованном свете при 77 К. Верхняя компонента спектра отвечает ориентации элсктрич. вектора К падающей на образец световой волны вдоль оси наибольшего показателя преломления п кристалла. Нижняя компонента спектра получена при наклоне светового вектора под углом 18 к оси наименьшего показателя преломления п0.| Спектр поглощения монокристалла аллилбензола ( С Н5С. НЙ в поляризованном свете при 20 К. Верхняя и нижняя компоненты спектра получены при ориентации светового вектора К вдоль двух разных осей показателя преломления кристалла. [30]



Страницы:      1    2    3