Штарковское расщепление

Cтраница 4

До наложения электрического поля переход, в котором участвуют только частицы газ а с вполне определенной компонентой скорости, является насыщенным. Вызванное полем штарковское расщепление больше однородной и в то же время меньше неоднородной ширины линии. Оно приводит к тому, что во взаимодействии со светом могут принять участие также и другие молекулы. При наблюдении лазерного сигнала на выходе из кюветы становится видимым типичный переходный процесс. Подобная техника была использована также в экспериментах по фотонному эху. [46]

Определение дипольного момента с помощью эффекта Штарка дает значение ie, равное 0 72 дебая. Быстрое уменьшение штарковского расщепления с ростом J, как это видно из формулы (7.23), ограничивает точность измерений для сравнительно легких молекул, особенно при малом дипольном моменте. Например, на переходе J 0 - 1 были сделаны точные измерения для молекулы N2O [413], дипольный момент которой - оказался равным 0 166 дебая. [47]

Расщепление мультиплетов ионол TR3 в поле кристалла ладанной симметрии. [48]

В случае средних полей внутрикристаллическое поле обычно учитывается в первом приближении как возмущение уровней свободного иона без учета их тонкой структуры, обусловленной спин-орбитальным взаимодействием. В результате этого штарковское расщепление превышает внутримульти-плетное расщепление, однако остается меньшим энергетического зазора между соседними мультиплетамп. Такая ситуация характерна для ионов элементов группы железа ( незаполненное Зй-оболочки) в некоторых кристаллах. В случае сильного внутрикристаллического поля, соответствующего ионам группы палладия и платины, штарковское расщепление превышает расстояние между различными мультиплетами. [49]

В полях порядка 100000 в / см и выше штарковское расщепление линий больше ширины тонкой структуры, и последняя практически не играет заметной роли. Такие поля могут быть названы сильны ми. Приведенные выше результаты относились к сильным полям. [50]

В плазме эта формула остается в силе, пока мало штарковское расщепление Ар Зеао п2, где ао - боровский радиус, F - среднее значение напряженности микрополя в плазме. [51]

Количество N02 в загрязненном воздухе, в том числе и в выхлопных газах, определяют при давлении 1 амт, используя зеемановское расщепление уровней электронной энергии в магнитном поле. Концентрацию N0 в загрязненном воздухе определяют при давлении - 0 1 мм рт. ст., применяя эффект штарковского расщепления уровней энергии в электрическом поле. Одновременное присутствие в системе N0 и N02 не влияет на точность определения этих примесей. [52]

Таким образом, используя картину энергетических зон, можно показать, что коэффициенты электрооптического и нелинейно-оптического тензоров близки во всех кислородно-октаэдрических сегнетоэлектриках. Это является результатом построения этих кристаллов из В06 - ок-таэдров, которые приводят к подобию структур энергетических зон и одинаковым штарковским расщеплениям, индуцированным поляризацией. [53]

Основным результатом действия поля лигандов является расщепление электронных состояний в нулевом магнитном поле и вытекающая отсюда тонкая структура в спектре парамагнитного резонанса. Поскольку это расщепление появляется только в высших приближениях теории возмущений, величина его обычно очень мала по сравнению со штарковскими расщеплениями ( - 102см -) редкоземельных ионов, находящихся не в S-состоянии. К счастью, экспериментаторы могут очень просто учесть такие эффекты, вводя в спиновый гамильтониан спиновые операторы, отражающие симметрию кристаллического поля. [54]

А) В нижеследующих вычислениях мы не учитываем тонкой структуры водородных уровней. Поэтому поле должно быть хотя и не сильным ( условие применимости теории возмущений), но в то же время таким, чтобы штарковское расщепление было велико по сравнению с тонкой структурой. [55]

Эффектом Штарка называется расщепление спектральных линий под действием на излучающее вещество внешнего электрического поля. Поскольку даже очень сильные внешние электрические поля слабы по сравнению с внутриатомными, их действие на движение атомных электронов можно рассматривать как небольшое возмущение. Соответственно штарковское расщепление линий очень малб и для наблюдения требует приборов с высокой разрешающей способностью ( стр. Линии расщепляются на ряд компонент ( сателлитов), располагающихся в случае водорода симметрично по обе стороны от основной линии. [56]

Страницы: 1 2 3 4