Значение - параметр - расщепление
Cтраница 1
 |
Расщепление ( - 1 ( / - подуровня центрального атома в октаэдрическом поле лигандов. [1] |
Значение параметра расщепления определяется природой лиганда и центрального атома. [2]
Значения параметра расщепления, приводимые различными авторамп, также больше отличаются друг от друга, чем в случае метпламмонпевых квасцов. [3]
Значение параметра расщепления зависит также от степени окисления комплексообразователя. [4]
Значение параметра расщепления А изменяется от комплекса к комплексу и зависит от природы лигандов и иона металла. Поле, создаваемое лигандами, зависит от их природы и особенно от легкости, с которой электроны лиганда возмущаются ионом. [5]
Значения параметра расщепления, приводимые различными авторами, также больше отличаются друг от друга, чем в случае метиламмониевых квасцов. [6]
Еще одно значение параметра расщепления было сообщено Тейнис-сеном [146], определившим его по измерениям парамагнитной релаксации при температурах жидкого азота. Он получил о0 296 К; эта величина выше нашего значения, однако, как и в случае хромо-калиевых квасцов, вполне возможно, что значение несколько меняется с изменением температуры. [7]
Как изменяется значение параметра расщепления с увеличением степени окисления и заряда ядра комплексо-образователя. [8]
Если бы расщепление вырожденных rf - орбиталей и значение параметра расщепления были обусловлены только электростатическими факторами, то распределение лигандов в спектрохимической серии было совсем другим. Этот факт ясно показывает, что характер расщепления rf - орбиталей обусловлен и другими обстоятельствами, которые не учитываются в теории кристаллического поля, но находят свое отражение в значении параметра расщепления. [9]
Отличительной чертой результатов для иона Мп2 является резкое увеличение значения параметра кубического расщепления а с атомным номером аниона в соединениях элементов II и IV групп с четырехкратным окружением иона, в чем можно убедиться на примере последовательности кристаллов ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe. Это увеличение сопровождается значительным возрастанием - фактора по сравнению с чисто спиновым значением и уменьшением значения константы сверхтонкой структуры А. [10]
В нижней части рисунка приведена диаграмма уровней энергии триплетного состояния, включающая спин-орбитальную тонкую структуру, при значениях параметра расщепления кубического кристаллического поля Dq - 850 слг1, что соответствует спектру гексаакво - № ( П) - иона. [11]
Если известно расстояние между комплексообразова-телем и лигандами, то с помощью математического аппарата теории кристаллического поля можно вычислить значение параметра расщепления А. Это позволяет далее вычислить К и таким образом предсказать, при какой длине волны будет иметься максимум поглощения света. [12]
 |
Характер расщепления d - подуровня в октаэдрических ( а, тетраэдрических ( б, и квадратных ( в комплексных соединениях. Число параллельных линий показывает кратность вырождения подуровней. [13] |
Количественно расщепление cf - подуровня в октаэдрических и тетраэдрических комплексных соединениях характеризуют так называемым параметром расщепления. Значение параметра расщепления может быть вычислено теоретически с помощью математического аппарата квантовой механики. Однако оно может быть также получено экспериментально при изучении спектров поглощения комплексных соединений и исходя из теплот образования этих соединений. [14]
Если бы расщепление вырожденных rf - орбиталей и значение параметра расщепления были обусловлены только электростатическими факторами, то распределение лигандов в спектрохимической серии было совсем другим. Этот факт ясно показывает, что характер расщепления rf - орбиталей обусловлен и другими обстоятельствами, которые не учитываются в теории кристаллического поля, но находят свое отражение в значении параметра расщепления. [15]
Страницы: 1 2