Дислокационная реакция

Cтраница 2

Наиболее активно развиваются гипотезы, связывающие зарождение мартенсита с существованием участков исходной фазы, отличающихся особым расположением дислокаций. Согласно одному из предположений, зародыш мартенсита образуется вследствие определенных дислокационных реакций или перегруппировки дислокаций в мартенситном интервале. Считается также весьма вероятным, что процессу зарождения способствует поле высоких внутренних напряжений от определенным образом расположенных дислокаций: оно как бы производит работу по созданию зародыша. [16]

В металлах, как и во всех кристаллических телах, всегда существует значительное количество дислокаций и дефектов различного происхождения. При движении дислокаций, обусловливающем пластическую деформацию кристалла, происходят дислокационные реакции, сопровождающиеся возникновением точечных дефектов. Образование дефектов сопровождается возникновением упругих напряжений кристаллической решетки. Основной причиной появления этих напряжений является изменение электронной структуры вблизи дефекта. Поля напряжений, создаваемые дефектами кристаллической решетки, взаимодействуют с магнитоупруги-ми полями доменной структуры - Вблизи дислокационных линий могут возникнуть скопления из вакансий или примесных атомов. При значительных концентрациях таких скоплений образуются макроскопические дефекты. На макроскопических дефектах, как правило, имеют место разрывы непрерывности самопроизвольной намагниченности, образуются магнитные заряды. Совокупность доменов и междоменных границ составляет доменную структуру магнитного материала. Взаимодействием этой структуры с дефектами кристаллической решетки и с макроскопическими дефектами, в конечном счете, определяются все структурно-чувствительные свойства магнитных материалов. [17]

В металлах, как и во всех кристаллических телах, всегда существует значительное количество дислокаций и дефектов различного происхождения. При движении дислокаций, обусловливающем пластическую деформацию кристалла, происходят дислокационные реакции, сопровождающиеся возникновением точечных дефектов. Образование дефектов сопровождается возникновением упругих напряжений кристаллической решетки. Основной причиной появления этих напряжений является изменение электронной структуры вблизи дефекта. Поля напряжений, создаваемые дефектами кристаллической решетки, взаимодействуют с магнитоупруги-ми полями доменной структуры. Вблизи дислокационных линий могут возникнуть скопления из вакансий или примесных атомов. При значительных концентрациях таких скоплений образуются макроскопические дефекты. На макроскопических дефектах, как правило, имеют место разрывы непрерывности самопроизвольной намагниченности, образуются магнитные заряды. Совокупность доменов и междоменных границ составляет доменную структуру магнитного материала. Взаимодействием этой структуры с дефектами кристаллической решетки и с макроскопическими дефектами, в конечном счете, определяются все структурно-чувствительные свойства магнитных материалов. [18]

Надежная методика избирательного травления меди была разработана Янгом [58, 59], Ливингстоном [ 60, 60а ] и Ловелом и Вер-ником [61] и применена к исследованию ряда проблем. Янг и Ногл [59] получили данные, свидетельствующие о наличии дислокационных реакций в местах пересечения следов скольжения в меди, которая перед изгибом была упрочнена облучением. [19]

Интермета ллидная у - фаза уникальна. Ее выдающийся вклад в упрочнение сплавов системы y - fr определяется характером дислокационных реакций на приложенное усилие, выражающихся в огибании частиц или их перерезании. Еще примечательнее то, что прочность у - фазы увеличивается с ростом температуры, а ее скрытая пластичность не дает ей стать источником разрушения. Последняя особенность ее поведения резко отличает у - фазу от хрупкой ff - фазы, образование которой приводит к жесткому охрупчиванию сплавов. Механизмы упрочнения сплавов за счет выделений у - фазы подробно рассмотрены в гл. [20]

Тройной узел в плоскости плотной упаковки в кристаллах с г. ц. к. решеткой. [21]

Отсюда следует, что дислокации с большим вектором Бюргерса неустойчивы и что энергия кристалла будет уменьшаться при распаде полной дислокации на единичные. Распад одной дислокации на несколько или, наоборот, слияние нескольких дислокаций в одну называется дислокационной реакцией, которая записывается в виде равенства между векторами Бюргерса дислокаций до и после реакции. [22]

Энергии активации диффузии и установившейся ползучести. [23]

Не вызывает сомнений, что диффузия играет выдающуюся роль в процессах, определяющих жаропрочность и тем более значительную, чем выше температура и больше время теплового воздействия на металл. При этом структура, состав материала и условия внешнего воздействия определяют относительную роль диффузионных процессов и дислокационных реакций при ползучести и разрушении. Жаропрочность, как и прочность вообще, определяется двумя характеристиками: силой межатомного взаимодействия и структурой. В этой связи скорость диффузии является весьма удобным критерием оценки жаропрочности, поскольку зависит как от прочности межатомной связи, так и от структуры. [24]

Первая стадия деформационного старения в стали определяется соотношением скоростей диффузии примесных атомов, обусловливающих старение, и притоками свежих дислокаций под действием деформации. Если поступление свежих дислокаций значительно превышает диффузионную способность примесных атомов при возникающем структурном состоянии, то часть их оказывается избыточной и может вступать в дислокационные реакции, в частности, аннигилировать. В этом случае создаются благоприятные условия для протекания первой стадии старения, которая сопровождается увеличением предела текучести, а также снижением деформации на площади текучести и температуры перехода к хрупкому состоянию. [25]

Были исследованы также дислокационные реакции. [26]

Теперь не может быть больше сомнений в отношении существования дислокаций, а также их скольжения и переползания. Экспериментально были обнаружены краевые, винтовые, смешанные, расщепленные, призматические, криволинейные и вершинные дислокации в полном соответствии с предсказаниями теории. Наблюдают согласованные с теорией субструктуру границ, действия поперечного скольжения и источников Франка - Рида, дислокационные реакции и плоские скопления дислокаций. [27]

Подобие фигур, описывающих обобщенный фактор ориентации и плотность дислокаций в лентах, говорит о том, что пластическая деформация в лентах действительно имеет место. Однако количественная разница в плотности дислокаций в полной мере должна быть произведена с учетом количества действующих систем скольжения, дислокационных реакций между ними, прорастания и выклинивания дислокаций в процессе кристаллизации. [28]

Хирта, пересечение двойника скользящей дислокацией может быть причиной роста ( или сокращения) двойника. Вследствие того что расщепляющиеся дислокационные реакции, возникающие при этом, энергетически не выгодны, рост двойника может происходить только при более значительных по сравнению со скольжением внешних приложенных напряжениях. Скользящие дислокации, взаимодействуя с двойником, может расширить или сузить его границы, преломившись, пройти сквозь двойник, оставив на нем изгибы и ступеньки. В том случае, когда дислокационные реакции, связанные с этими явлениями, не имеют места, граница двойника должна действовать как барьер, в результате чего образуются скопления скользящих дислокаций, которые приводят к сильному упрочнению и последующему разрушению. [29]

Дислокационная модель разрушения Баллафа-Гилмана. [30]

Страницы: 1 2 3