Cтраница 3
Эта дислокация становится сидячей ( т.е. неподвижной), образуя барьер для движения других дислокаций в скоплениях. Присоединение к этой новой дислокации других из обоих скоплений образует микротрещину в результате возникающей при этом высокой концентрации напряжений. В ГЦК-металлах ( гранецентрированная кубическая решетка) подобные дислокационные реакции нестабильны. [31]
В одновалентных металлах, в которых считают дислокации растянутыми, одна или несколько вакансий не могут образовать пороги, хотя дислокации и можно считать новыми. Конденсированные вакансии захлопываются и образуют сидячие дислока -, ционные петли при достижении критической величины концентрации вакансий. Часть петли сливается с неполными дислокациями. Будучи зависимой от ориентации той дислокации, на которой вакансия конденсируется, дислокационная реакция идет так, чтобы устранить дефект упаковки и образовать сверхпорог. На рис. 6 показана конечная конфигурация продуктов конденсации вакансий для трех типичных ориентации дислокаций. [32]
Вторая частичная дислокация ( а / 6) [111] скользит в плоскости ( 112) с образованием дефекта упаковки OBDE. Переходя, допустим, в плоскость ( 2П) ( см. рис. 81 а), снова образуется область дефекта упаковки OFE, причем отрезок OF вращается вокруг точки О неподвижной дислокации ( а / 3) [112], образуя дефектный слой, или двумерный двойник. Поэтому дислокация OF, совершая полный оборот, продвигается вперед в направлении 0В и за второй оборот дислокация OF добавляет к двумерному двойнику еще один слой. С позиций описанного механизма возможно образование двойника значительной толщины. За исключением ниобия, экспериментально описанная дислокационная реакция не была получена для о. [33]
Для этой цели в кристаллы в процессе их роста добавляют незначительные количества галогенных соединений серебра, например 0 8 % AgCl. Последующий отжиг в водороде ведет к выделению серебра по линиям дислокаций, и тем самым к их декорированию. На рис. 11.9 показана гексагональная сетка дислокаций в кристалле К. Подобным образом можно было детально исследовать дислокационные реакции в щелочных галогенидах. [34]
Если при встрече с дефектом упаковки, лежащим в Y-ПЛОСКОСТИ, происходит рекомбинация, то дислокация, расщепляется на неполные дислокации, находящиеся в этой плоскости и двигающиеся в таком направлении, чтобы уничтожить дефект упаковки. Векторы Бюргерса неполных дисло. Отметим, что если плоскость ABD не содержит дефекта упаковки, то вектор Бюргерса для дислокации EGF есть Ау и уВ для EHF. При встрече дислокаций ED с DF происходит реакция, в результате которой вектор Бюргерса дислокации ED превратится в 0В, а дислокации FD в В, причем дислокация с вектором Бюргерса хВ может двигаться в - плоскости, уничтожая дефекты упаковки. Дислокационные реакции и уничтожение дефекта упаковки происходят таким образом до тех пор, пока не исчезнут все плоскости дефекта упаковки. Конечная конфигурация показана на рис. 10, а. Сегменты конечной геликоидальной дислокации должны растянуться и соединиться повсюду с вершинной дислокацией типа ар. [35]