Cтраница 1
Вероятность заполнения электроном состояния с энергией е определяется ( см. гл. [1]
Вероятность заполнения электронами уровня Ферми равна V2 - В полупроводниках л диэлектриках уровень Ферми расположен в запрещенной зоне, в металлах - в разрешенной зоне. [2]
Вероятность заполнения ячейки р представляет собой случайную величину. Такой же случайной величиной является, очевидно, и показатель степени оц. Однако распределение значений а для мультифрактала известно. [3]
Вероятность заполнения изделий при выходе лопасти из паза уменьшается за счет выброса изделий. Скорость на концах лопастей не должна превышать 100 - 200 мм / сек. [4]
Вероятность заполнения энергетического состояния электроном выражается в долях единицы. Так, если на уровне находится два электрона, то вероятность заполнения уровня равна единице; если уровень свободен, - то нулю. [5]
Вероятность заполнения примесных уровней описывается с помощью статистики Ферми - Дирака. [6]
Вероятность заполнения энергетических уровней зависит от температуры полупроводника. [7]
SrNbzOe вероятность заполнения ионами Sr2 1 четырех вакантных С-положений, приходящихся на одну элементарную ячейку, составляет 0 0875, При 87 мол. [8]
Затем найдем вероятность заполнения, если ртуть, совершив цикл номер один, движется от бесконечности к нулю, заполняя все поры, в которые она может попасть, двигаясь только справа налево. [9]
TOO - вероятности заполнения узлов. [10]
![]() |
Зонная структура собственного полупроводника. а - невозбужденное состояние. б - частично возбужденное состояние. [11] |
Ръ - вероятность заполнения электронами уровня с энергией Е; k - постоянная Больцмана; Т - абсолютная температура. [12]
При Т О вероятность заполнения каждого уровня определяется статистикой Больцмана, а энергия анизотропии иона должна рассчитываться с помощью обычных статистических методов как средняя свободная энергия иона, отвечающая равновесному распределению при данной температуре. [13]
Величина U есть вероятность заполнения элементами пористой системы конечного объема систем сложения или же вероятность того, что в данном объеме встречаются среди пустот отдельные элементы. Соответственно G имеет смысл вероятности пустот в общей системе. [14]
С повышением температуры вероятность высокоспинового заполнения возрастает, а выше комнатной температуры ( 100 - 200 С) становится преобладающим. Это отражается в соответствующем изменении физических характеристик. [15]