Вероятность - излучение
Cтраница 2
Для вычисления вероятности излучения фотона в квазиклассическом случае удобнее исходить не из окончательной формулы теории возмущений (44.3), а из формулы, в которой еще не произведено интегрирование по времени. [16]
Для вычисления вероятности излучения фотона в квазиклассическом случае удобнее исходить не из окончательной формулы теории возмущений ( 44 3), а из формулы, в которой еще не произведено интегрирование по времени. [17]
Для определения вероятности излучения остановки нельзя пользоваться методами обычной теории возмущений, так как в конечном состоянии я-мезон поглощается ядром. Поэтому нахождение этой вероятности требует специального рассмотрения. [18]
Видно, что вероятность излучения чрезвычайно мала, поскольку содержит малую величину ( vre / с) 5 - Эта величина существенно увеличивается, если размер плазмы а с / ыре. Роль третьего тела в данном случае играют ионы, сохраняющие неоднородное распределение электронов в пространстве. [19]
 |
Влияние магнитного поля. [20] |
При, низких температурах вероятность излучения для полупроводников, с непрямым переходом может оказаться гораздо больше вероятности поглощения, и отрицательная температура может быть получена при значительно более низких ( по сравнению с 1018 1 / см3) концентрациях электронов и дырок. Однако это положение не является определяющим. При создании отрицательной температуры между зонами внутри их распределение электронов и дырок остается обычным. В случае прямых переходов это не опасно, так как вероятность междузонных переходов для них в несколько раз превышает вероятность переходов внутри зоны и коэффициент усиления лазера получается достаточно высоким. В полупроводниках же с непрямым переходом, к которым относятся германий, кремний, фосфиды галлия и индия и др., это условие выполняется не всегда. Было показано, что для германия оно вообще невыполнимо. Поэтому большинство современных ПКГ созданы на полупроводниках с прямыми переходами. [21]
Отношение вероятности неизлучения к вероятности излучения пропорционально интенсивности излучения, падающего на осциллятор. [22]
 |
Зависимость ширины Г линии мессОауэроьского излучения от примени жи. ши пионера т. пунктирная припал соответствует естественной ширине линии, сплошная линия - результат экспериментов. [23] |
С ростом анергии у-квантов вероятность безотдач-ного излучения резко падает. Ото ограничивает верх, значение величины энергии у-квантов, достижимое в у-лазере на ядерных переходах. [24]
Вернемся к общей формуле для вероятности излучения (30.41) и рассмотрим переход yj - t - y J, предполагая, что атом с равной вероятностью может находиться в любом из Ж - состояний. [25]
Последний коэффициент распада представляет собой вероятность излучения света экси-тоном после его рассеяния акустическим фононом. [26]
Несмотря на то, что вероятность антистоксового излучения достаточно велика, все-таки она всегда меньше, чем вероятность нормального ( стоксового) излучения. А коль скоро это так, то можно утверждать ( а это действительно и наблюдается на практике), что выход люминесценции в антистоксовой области всегда значительно меньше, чем в нормальной, стоксовой области. И закон Стокса, и правило Стокса - Ломмеля могут быть интерпретированы как частные случаи более общего спектрально-фотометрического закона, устанавливающего связь между выходом люминесценции и длиной волны возбуждающего света, - закона Вавилова. [27]
Наличие поля на частоте перехода повышает вероятность излучения частицей, находящейся в верхнем состоянии. [28]
В действительности же при достаточно малых вероятность излучения не мала, а вероятность излучения двух и более фотонов не меньше, а больше вероятности излучения одного фотона. [29]
Хороню известно, что такая зависимость вероятности излучения от знака заряда частицы появляется только при учете высших порядков теории возмущений. Но для ряда известных к тому времени процессов, таких как упругое рассеяние и излучение в кулоновском поле, зависимость вероятностей рассеяния и излучения от знака заряда частицы при высоких энергиях была очень мала. Поэтому если при взаимодействии частиц с кристаллом относительный вклад в излучение, связанный с высшими порядками теории возмущений, растет, то это должно привести и к усилению зависимости вероятности излучения от знака заряда частицы. [30]
Страницы: 1 2 3 4