Вероятность - спонтанное излучение
Cтраница 2
 |
Зависимость длины.| Зависимость длины волны линии RI рубина от температуры в области от 20 до 80 С. [16] |
Результирующее время жизни тл состояния 2Е при этом падает, поскольку вероятность спонтанного излучения с уровня Е больше, чем с уровня 2 А. Уменьшение тл при Т 100 К связано главным образом с увеличением вероятности излучения с одновременным испусканием или поглощением фотонов. При таких переходах ионы хрома обмениваются энергией с кристаллической решеткой. [17]
Поскольку v3 величина большая в оптической области, то соответственно велика вероятность спонтанного излучения. [18]
Но через эту же величину выражается согласно ( 46 9) вероятность оу спонтанного излучения фотона при том же ядерном переходе. [19]
Используя принцип детального равновесия, можно установить связь между коэффициентами, определяющими вероятность вынужденного излучения, вероятность поглощения и вероятность спонтанного излучения света, аналогично тому как в (15.15) была найдена связь между коэффициентом поглощения и временем жизни при излучательных переходах, связанных со спонтанным излучением. [20]
Особенность молекулярного генератора заключается в очень узкой полосе излучения, ширина которой зависит от времени пролета резонатора, так как вероятность спонтанных излучений, расширяющих полосу излучаемых частот, за время пролета резонатора весьма мала. [21]
Количество лучистой энергии, излучаемое атомами за 1 сек ( интенсивность излучения), определяется числом излучающих атомов в 1 см9 и вероятностью спонтанного излучения. Для того чтобы атомы могли излучать эту энергию, их необходимо перевести из нормального ( с наименьшей энергией) состояния в верхнее возбужденное состояние. Это достигается одним из указанных выше методов. [22]
Количество лучистой энергии, излучаемое атомами за одну секунду ( интенсивность излучения), определяется числом излучающих атомов в 1 см3 и вероятностью спонтанного излучения. [23]
 |
Зависимость населенности. [24] |
Индексы 0; 1 и 2 относятся к состояниям 1 So, 2 S o и 2Pi атома гелия соответственно; neOf / Ue - скорость электронного возбуждения уровня k с уровня г; Aj: i - вероятность спонтанного излучения с учетом пленения; HO - число атомов в 1 - см3 при р1 мм рт. ст., ар - давление газа. [25]
К; Ет-энергия возбуждения спектральной линии ( потенциал возбуждения в эв); N3 ( концентрация) - общее число атомов данного элемента в газообразном состоянии в пламени источника возбуждения в 1 см3; a - постоянная, объединяющая постоянную Планка, вероятность спонтанного излучения и другие данные; k - постоянная Больцмана. [26]
Эйнштейн обозначил вероятности поглощения и стимулированного излучения на единицу плотности электромагнитной энергии ( в частотном интервале между v и v Az /), обусловленные переходом электрона между уровнями п и т, коэффициентом Впт. Вероятность спонтанного излучения вследствие перехода с уровня п на уровень т была обозначена, как Апт. [27]
Взаимодействие излучения с веществом рассматривается для УИ-системы, находящейся в полости при температуре Т в равновесии с полем излучения. Вероятность спонтанного излучения [ i-системы не зависит от плотности излучения и равна коэффициенту Эйнштейна для спонтанного излучения AIJ. [28]
Радикалы, находящиеся на этом и других вращательных уровнях, заселенных при соударениях, способны флуоресцировать, теряя при этом энергию. Время релаксации определяется вероятностями спонтанного излучения и потери электронной и вращательной энергий при соударениях. [29]
Рассматривается равновесие между молекулами и излучением. Эйнштейн вводит вероятности индуцированного излучения и поглощения, а также вероятность спонтанного излучения. Пользуясь принципом детального равновесия, он удивительно простым путем получает формулу Планка. [30]
Страницы: 1 2 3