Вероятность - образование - центр - кристаллизация
Cтраница 1
Вероятность образования центров кристаллизации резко падает при уменьшении пересыщения. [1]
 |
Вакуум-кристаллизатор с принудительной циркуляцией раствора. [2] |
Присутствие в растворе взвешенных частиц шлама повышает вероятность образования центров кристаллизации и поэтому влечет за собой уменьшение размеров кристаллов. [3]
Не следует брать избыток раствора, так как это увеличивает вероятность образования побочных центров кристаллизации. [4]
Возможная степень переохлаждения жидкости ниже равновесной точки замерзания зависит от вероятности образования центров кристаллизации твердого вещества. [5]
Анализ выражения (16.8) показывает, что с возрастанием переохлаждения А Г величина гк уменьшается, что повышает вероятность образования центров кристаллизации. При Т - rra величина гк - оо, поэтому при малых переохлаждениях зарождения кристаллов практически не происходит. [6]
 |
Условие гетерогенного зарождения кристалла.| Схема процесса смачивания покрытия жидким металлом. [7] |
Таким образом, при уменьшении краевого угла смачивания уменьшается поверхностная энергия на границе раздела между твердой фазой и покрытием и увеличивается вероятность образования центров кристаллизации на поверхности покрытий. Важность этого технологического положения заключается в том, что, регулируя количество активных центров, геометрию и плотность поверхности покрытий или облицовки литейной формы, можно стимулировать или тормозить рост кристаллов в поверхностном слое отливки. [8]
Следовательно, введение в основную металлическую систему Ni - Mn добавки сурьмы в количестве более 30 % обеспечивает значительное снижение пересыщения и тем самым уменьшает вероятность образования паразитных центров кристаллизации. Это связано с тем, что приблизительно при тех же концентрациях происходит резкое изменение характера зависимости растворимости алмаза от содержания сурьмы. [9]
Этот множитель представляет собой вероятность образования центров кристаллизации, которая увеличивается по мере роста переохлаждения. [10]
Возрастание v в области малых переохлаждений обусловлено увеличением второго экспоненциального множителя е - 80 / 71 7) При понижении температуры. Этот множитель представляет собой вероятность образования центров кристаллизации, которая увеличивается по мере роста переохлаждения. [11]
Из этих наблюдений можно сделать вывод, что процесс образования центров кристаллизации в полимерах не отличается существенно от аналогичных процессов в низкомолекулярных веществах. Много лет назад Тамани 1571 на основании изучения процесса образования центров кристаллизации в расплавленных низкомолекулярных веществах пришел к заключению, что при охлаждении жидкости ниже ее температуры плавления вероятность образования центров кристаллизации сначала повышается с понижением температуры, затем достигает максимума и, наконец, падает, становясь для некоторых веществ чрезвычайно малой; таким образом, если вещество достаточно быстро проходит через температурный интервал, в котором легко образуются центры кристаллизации, то оно остается аморфным и с повышением вязкости при дальнейшем понижении температуры переходит в стеклообразное состояние. Подобная картина наблюдается, очевидно, и в полимерах. Можно было бы ожидать, что в полимерах благодаря высокой вязкости и сложной молекулярной структуре образование центров кристаллизации протекает значительно труднее, чем в расплавах простых веществ. Это предположение было бы правильным, если бы молекулы были вытянуты во всю длину; однако в каждый кристалл включены только относительно короткие участки молекул, поэтому в некоторых полимерах, несмотря на высокую вязкость, участки соседних молекул могут так же легко занять необходимое для образования кристаллов положение, как и молекулы простых веществ в расплаве. Тем не менее следует ожидать, что число кристаллизующихся высокополимеров, застекловывающихся при быстром охлаждении, больше, чем число низкомолекулярных веществ, способных застекло-вываться. [12]
 |
Вакуум-кристаллизатор с принудительной циркуляцией раствора. [13] |
В вертикальных вакуум-кристаллизаторах обеспечивается малый унос брызг щелока с паро-воздушной смесью. Горизонтальные вакуум-кристаллизаторы с мешалками дают более равномерное и медленное охлаждение, что способствует укрупнению кристаллов. Присутствие в растворе взвешенных частиц шлама повышает вероятность образования центров кристаллизации и поэтому влечет за собой уменьшение размеров кристаллов. Диспергирующее воздействие шлама может быть подавлено введением добавок - солей свинца, первичных алифатических аминов и других. [14]
Постоянное магнитное поле замедляет образование центров кштсталлизации льда, что обусловлено изменением работы зародыгпеобразования в магнитном поле. Увеличение степени чистоты воды смещает кпивые скорости зародыгаеобразования в область больших переохлаждений. Действие импульсного поля на воду приводит к увеличению вероятности образования центров кристаллизации. Показано, что ответственность за эффект действия импульсного магнитного поля несут ионы. [15]
Страницы: 1 2