Вероятность - перенос - энергия
Cтраница 1
Вероятность переноса энергии по каналу VO3 - Ln3 не зависит от величины сил осцилляторов линий поглощения активаторов. [1]
В общем случае температурная зависимость вероятности безызлу-чательного переноса энергии определяется как структурой нижних электронных уровней, так и типом механизма переноса ( резонансного или нерезонансного), и в некоторых случаях по экспериментальной зависимости W ( Т) можно судить о превалирующем механизме передачи энергии. [2]
Для обменного механизма, как было отмечено выше, вероятность переноса энергии. А отлична от нуля практически только для ближайших ионов. Величина W при этом пропорциональна числу акцепторов, попадающих в сферу обмена. [3]
А) между донором и акцептором, на котором вероятности переноса энергии от D к А и испускания D равны. [4]
 |
Схема электронных уровней молекул, иллюстрирующая триплет-триплетный перенос энергии. [5] |
Чем дольше молекула существует в возбужденном состоянии, тем больше вероятность переноса энергии на молекулу акцептора, оказавшуюся вблизи молекулы донора. [6]
При изменении величины интеграла перекрытия спектров в 40 раз было найдено соответствующее изменение вероятности переноса энергии. [7]
Однако, поскольку поверхностные состояния находятся на расстоянии - 10 А от поверхности, вероятность переноса энергии или заряда к электроду достаточно высока [ близка к единице ( см. разд. [8]
Измерения проведенные для бензофенона в качестве донора энергии и серии 1-галогеннафталинов в качестве акцепторов, показали одинаковую вероятность переноса энергии от бензофенона к 1-галогеннафталинам, несмотря на то что сила осциллятора фосфоресцентного перехода 3Г - Г в 1-галогеннафтали-нах меняется на три порядка. [9]
 |
Максимальные энергии фононного спектра оксидных стекол. [10] |
При другом подходе - рассмотрении безызлучателыюй релаксации РЗ-ионов как индуктивно-резонансной передачи энергии от РЗ-иопа к ближайшим колебательным осцилляторам основы - вероятность переноса энергии в случае диполь-дипольного взаимодействия, характерного для стекол, определяется рассмотренным выше интегралом перекрытия (1.22) спектра люминесценции РЗ-иона на данном электронном переходе и спектра поглощения матрицы-основы. В отличие от последней, индуктивно-резонансная модель позволяет объяснить наблюдаемые в ряде случаев отклонения от экспоненциальной зависимости вида (1.36) особенностями колебательных спектров поглощения основы и особенностями электронных переходов в самих РЗ-ионах. [11]
Авогадро, 2а - диаметр молекулы, с - концентрация в молях на литр, a Rc - критическое расстояние между параллельными диполями, на котором вероятность переноса энергии равна вероятности испускания. [12]
Несмотря на примитивность исходной модели, этот подход дает возможность понять физическую сущность различных приближений в теории и сделать грубые, но реалистические оценки порядка величины вероятности переноса энергии. В первой главе излагается также теория Ферстера, сыгравшая, как уже отмечалось, важнейшую роль в развитии всей проблемы переноса энергии. [13]
А относительно молекул В, точнее, коэффициент диффузии переноса возбуждения между молекулами А; / сд - вероятность спонтанной дезактивации А за единицу времени; р ( г) - вероятность переноса энергии от молекулы А к молекуле В; Р - число возбужденных молекул А, образующихся за единицу времени в единице объема. [14]
Из рисунка мы видим, что имеется много возможных пар резонансных переходов. Выражение для вероятности переноса энергии должно включать суммирование по всем этим переходам. [15]
Страницы: 1 2