Вероятность - переход - электрон
Cтраница 3
В качестве активной среды ( кристалл К) подбираются вещества, у которых вероятность перехода электронов из зоны проводимости в валентную зону с испусканием фотона велика. Таким веществом оказался арсенид галлия ( ОаАз), у которого путем ввода ( в качестве примесей) доноров - атомов Те, 5е, 5п и других и акцепторов - атомов 2п, Сс1 и других создаются зоны р - и п-проводимостей. [31]
В этом случае, когда максимуму занятых состояний соответствует максимум свободных состояний, вероятность перехода электронов справа налево будет максимальной. [32]
В первом случае вероятность перехода электронов с примесных уровней в зону проводимости значительно больше вероятности перехода электронов из валентной зоны. Поэтому в таком примесном полупроводнике кроме собственной проводимости может существовать значительная примесная проводимость электронного типа. [33]
Значит, наиболее подходящей активной средой для полупроводникового лазера будут вещества, у которых вероятность перехода электронов из зоны проводимости в валентную зону с испусканием фотона достаточно велика. [35]
Для металлов, у которых на границе зоны Бриллюэна щель между энергетическими зонами мала, существует вероятность перехода электрона через эту щель, если приложено магнитное поле; это явление называют магнитным пробоем. [36]
 |
Схема возникновения отдельных серий характеристического рентгеновского излучения.| Распределение интенсивности рентгеновских лучей в характеристическом спектре. [37] |
Так как процесс возбуждения / ( - серии наблюдается одновременно в громадном количестве атомов, а вероятность перехода электрона из вышерасположенных слоев на / ( - уровень неодинакова, то все спектральные линии серии возникнут одновременно, а их интенсивность ( определяемая вероятностью переходов) будет различной. [38]
Электропроводность диэлектриков в обычных условиях практически отсутствует, поскольку из-за относительно большой ширины запрещенной зоны весьма мала вероятность перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости. У полупроводников электропроводность существенно зависит от температуры. Еще со времен Фарадея было известно, что, в отличие от металлов, у полупроводников электропроводность с нагреванием не снижается, а напротив, быстро растет. [39]
Для описания примесного оптического поглощения важно знать вид волновой функции примесного состояния, так как он определяет вероятность перехода электрона из одного состояния в другое ( например, с примесного уровня в зону проводимости) и влияет таким образом на коэффициент поглощения. [40]
К рассмотрению процесса вторичной эмиссии за счет потенциальной энергии положительного иона прпложггаы методы волновой механики, позволяющие подсчитать вероятность перехода электрона из металла на тот или другой уровень энергии в атоме, образуемом при нейтрализации положительного иона. Наиболее вероятным оказывается переход на такой уровень, на котором энергия электрона близка к энергии, которой он обладает как электрон проводимости в металле. Эти представления приводят к следующей картине рассматриваемого элементарного процесса. При приближении положительного иона к поверхности металла, когда ион находится от этой поверхности еще на некотором расстоянии, происходит переход к иону первого электрона. В результате этого перехода получается атом в возбужденном состоянии. Затем путем нового элементарного акта происходит освобождение второго электрона проводимости из металла за счет энергии возбуждения, подобно тому как в объеме газа это имеет место при неупругом соударении второго рода. [41]
В работах Тимашева [176, 177] рассчитывалась вероятность тепловой ионизации глубоких объемных и поверхностных локальных центров с учетом квантовых поправок, обусловленных конечной вероятностью перехода электрона на внезонные состояния в сильных электрических полях. Этот эффект, представляющий собой по существу разновидность эффекта Франца - Келдыша для локальных центров, обусловлен термическими электронными переходами на виртуальные внезонные состояния, появление которых в больших электрических полях предсказывается теорией Франца - Келдыша. [42]
В изоляторе электроны заполняют полностью несколько зон, а энергетическая щель на границе зоны столь велика, что при обычных температурах вероятность перехода электрона через щель в пустую зону путем теплового возбуждения пренебрежимо мала. Если, однако, щель невелика, то часть электронов может возбудиться и перейти из заполненной зоны в пустую, и тогда кристалл может обладать проводимостью. Так как электроны проводимости появляются вследствие теплового возбуждения, то их число зависит от температуры, которая характеризует полупроводники. [43]
Вследствие этого d - электро-ны в указанных веществах остаются по существу локализованными; тенденция к делокализации проявляется только в существовании некоторой конечной вероятности перехода электрона к соседнему катиону. Эта вероятность, как указывалось выше, была бы совсем пренебрежимо малой, если бы не помощь аниона, разделяющего соседние катионы. [44]
 |
Спектральное распределение фотопроводимости ZnO, сенсибилизованной восстановленной ( 1 и основной ( 2 формами гематопорфирина в вакууме. Ординаты кривой 2 уменьшены в 100 раз. [45] |
Страницы: 1 2 3 4