Вероятность - излучательный переход
Cтраница 2
Расчетные значения вероятности спонтанных переходов Л / с уровня Fs / 2 ионов Nds на все уровни 4 / - терма, а также коэффициенты ветвления Ру, вычисленные по формулам (1.16) и (1.17), для стекол из табл. 1.3 представлены в табл. 1.4. Там же приведены экспериментально измеренные ( по спектрам люминесценции) значения коэффициентов ветвления этих же стекол, которые, как видно, близки к рассчитанным. Вероятности спонтанных излучательных переходов Л - при переходе от одной основы к другой изменяются довольно значительно. В то же время коэффициенты ветвления Р / мало изменяются от состава и типа основы стекла, и, таким образом, возможность варьирования их выбором состава стекла ограничена. В табл. 1.4 приведены также значения спектроскопических параметров К0, АА эф и а для основного перехода F3 / 2 - 4 / ц / 2 ионов Nd3 в тех же стеклах и для перехода Р3 - 4 / 13 / 2, полученные из спектров люминесценции или вычисленные ( а0) с использованием теории Джадда - Офельта. [16]
Состояние среды с инверсной населенностью уровней является неустойчивым и сопровождается повышенным числом переходов на нижний уровень. Вероятность спонтанных излучательных переходов в диапазоне свч мала. На процесс возвращения возбужденных частиц твердого парамагнетика в основное состояние наибольшее влияние оказывают безызлучательные релаксационные процессы. В парамагнетиках различают спин-решеточную и спин-спиновую релаксации. [17]
Различие в вероятностях излучательных переходов обусловлено, с одной стороны, различием энергий переходов, а с другой стороны, различием матричных элементов для оператора дипольного момента. [18]
В этой точке возбужденная молекула может перейти на вторую кривую. У многих молекул реализуются подобные переходы, что снижает интенсивность флуоресценции, но увеличивает вероятность излучательного перехода со второй кривой в основное состояние. Это явление было обнаружено в молекулярных спектрах, а первичное и вторичное возбужденные состояния ( вторая кривая с более низкой энергией) были названы соответственно синглетным и триплетным состояниями. [19]
Отметим, что большое время жизни частиц на метастабильном уровне определяется тем, что излучательные переходы на нижние уровни запрещены в данной системе известными квантовыми условиями отбора. Возвращение частиц на основной уровень с мета-стабильного происходит посредством безызлучательных переходов, вероятность которых в ряде случаев может быть значительно меньше вероятности излучательных переходов. [20]
Из всего сказанного видно, что как строгое выполнение правила зеркальной симметрии спектров, так и отступления от него дают ценную информацию об оптических свойствах сложных молекул. Эти данные позволяют судить о строении колебательных уровней невозбужденного и возбужденного состояний молекул, делать заключение о их относительной заселенности и относительных значениях вероятностей поглощательных и излучательных переходов, а также определить значения частот электронных переходов в молекулах. [21]
Сравнительно недавно опубликовано несколько работ с СЬ, Вг2 и некоторыми молекулами, составленными из атомов различных галогенов. Возбужденные электронные состояния галогенов описываются правилом Гунда ( случай с-связи), поэтому спин не является определяющим квантовым числом, и естественно ожидать, что вероятность излучательных переходов между синглетным и триплетным состояниями будет довольно высокой. Поскольку спин-орбитальная связь в атомах также сильна, мультиплетное расщепление относительно велико, в особенности для тяжелых атомов. [22]
 |
Спектры излучения некоторых хромовых люминофоров. [23] |
Абсолютная величина поглощения точно не определена; она, во всяком случае, незначительна и на несколько порядков ниже, чем поглощательная способность нормального диполя. Искусственные рубины с концентрацией Сг 1 % при толщине 1 см еще хорошо пропускают свет в максимуме поглощения. Соответственно этому вероятность обратных излучательных переходов тоже очень мала. По данным В. Н. Алявдина, В. В. Федорова и автора [14], закон затухания строго экспоненциальный; длительность свечения с 0 016 сек. [24]
 |
Схема электронных переходов. [25] |
Интенсивность линий рентгеновского спектра зависит от распределения бомбардирующих электронов по скоростям или от распределения интенсивности в спектре возбуждающего излучения в случае флуоресцентных спектров. При одинаковых условиях интенсивность характеристических линий спектра максимальна, когда максимальная интенсивность источника возбуждения соответствует энергии возбуждения данной линии. Интенсивность спектра зависит также от числа излучающих атомов, вероятности излучательного перехода и некоторых других факторов. Точная оценка величин, оказывающих влияние на интенсивность спектральной линии, очень сложна. [26]
 |
Структуры некогерентных полупроводниковых излучателей. [27] |
Однако значительная часть актов рекомбинации может заканчиваться выделением энергии в виде элементарных квантов тепловых колебаний - фононов. Такие переходы электронов между энергетическими уровнями называют безызлучательными. Соотношение между излучательными и безызлучательными переходами зависит от ряда причин, в частности от структуры энергетических зон полупроводника, наличия примесей, которые могут увеличивать или уменьшать вероятность излучательных переходов. Из освоенных в настоящее время полупроводниковых материалов наилучшими с точки зрения внутреннего квантового выхода являются соединения GaAsi - P при х О. [28]
 |
Структуры некогерентных полупроводниковых излучателей. [29] |
Однако значительная часть актов рекомбинации может заканчиваться выделением энергии в виде элементарных квантов тепловых колебаний - фононов. Такие переходы электронов между энергетическими уровнями называют безызлучательными. Соотношение между излучательными и безызлучательными переходами зависит от ряда причин, в частности от структуры энергетических зон полупроводника, наличия примесей, которые могут увеличивать или уменьшать вероятность излучательных переходов. [30]
Страницы: 1 2 3