Вероятность - туннельный переход
Cтраница 1
Вероятность туннельного перехода возрастает с увеличением температуры. Поэтому низковольтные стабилитроны имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения стабилизации. [1]
 |
Понижение потенциального барьера под действием электрического поля. [2] |
Вероятность туннельного перехода зависит от высоты Л Е0 и ширины а барьера. [3]
 |
Зависимость дрейфовой скорости электронов от напря-женностй электрического поля в кремнии ( а и теллуриде кадмия ( б при разных температурах, К. [4] |
Вероятность туннельного перехода зависит от высоты & Е0 и ширины а барьера. [5]
Вероятность туннельного перехода под барьером незначительна, и ее можно не учитывать. [6]
Вероятность туннельного перехода под барьером б ( е) незначительна, ее учитывать не будем. [7]
В магнитном поле вероятность туннельного перехода из зоны в зону меняется из-за перегруппировки зон в магнитные подзоны. Вольтампер-иая характеристика туннельного диода из InSb при 77е К и различных значениях магнитного поля: а - продольное поле; б - поперечное поле [1026] приведены на рис. 11.307. Туннельный ток падает с увеличением напряженности для продольного и поперечного магнитного поля. [8]
 |
Схема вихревого свистка.| Схема губного свистка. 1. [9] |
Однако, если вероятность туннельного перехода мала ( в классич. [10]
Отсюда следует, что вероятность туннельного перехода возрастает с увеличением напряженности поля § и имеет большую величину в полупроводниках с неширокой запрещенной зоной. [11]
Эту величину и содержит вероятность туннельного перехода. [12]
Ранее были выведены выражения для вероятности туннельного перехода сквозь барьеры различной формы, включая прямоугольники и равнобедренные треугольники. [13]
Для электронов внутренних оболочек атомов вероятность туннельного перехода электрона от одного атома к другому оказывается очень малой. Это связано с уменьшением прозрачности потенциального барьера, в результате чего частота v просачивания электрона сквозь потенциальный барьер становится ничтожно малой. Например, для электрона атома Na в основном состоянии v 10 - с и соответственно среднее время жизни такою электрона у данного атома т жН) лет. Следовательно, электроны внутренних оболочек атомов в кристаллах также прочно связаны со своими атомами, как и в изолированных атомах. Энергетические уровни этих электронов в кристалле такие же узкие, как и в отдельно взятом атоме. [14]
Считая Fi, F2 и вероятность туннельного перехода электрона слабо зависящими от Е, Герни получил закон Тафеля. Введение иф является основным достижением работы Герни. [15]
Страницы: 1 2 3 4