Cтраница 4
Пусть, например, требуется найти вероятность поглощения частицы в некотором объеме Д1Л В аналоговом методе для этого необходимо построить N траекторий и взять отношение числа поглощенных в объеме траекторий к общему числу построенных. Полагая, что в каждом столкновении qo 2c / 2, получаем более эффективный способ оценки числа поглощений. Увеличение эффективности обусловлено тем, что вклад в вычисляемую величину будут теперь давать все столкновения, происшедшие в объеме А1 /, а не только поглощения, как это было в аналоговой оценке. [46]
Отметим в заключение, что если вероятность поглощения энергии излучения различными группами зависит не только от электронных долей, но и от химической структуры этих групп ( например в силу причин, отмеченных Лэмборном и Свеллоу), то это должно быть учтено при расчете вероятности передачи энергии. Вычисленная по формуле ( 2) величина а не будет иметь в этом случае смысл вероятности передачи энергии, а будет включать оба эффекта. Следует, однако, подчеркнуть, что лри любых предположениях о характере первичных процессов величина остается количественной характеристикой эффективности защитного действия. [47]
Создание более тяжелого тампонажного раствора невозможно вследствие вероятности поглощения при цементировании. [48]
В примесных полупроводниках с небольшим содержанием примесей вероятность поглощения фотонов электронами примесных атомов мала. Поэтому изменение проводимости под действием света также в основном связано с перебросом электронов из валентной зоны в зону проводимости и образованием пар разноименных носителей заряда - электронов проводимости и дырок. Однако характер проводимости для электронных ( n - типа) и дырочных ( р-типа) примесных полупроводников различен. [49]
Величина а - коэффициент поглощения - есть вероятность поглощения фотона на единице длины. Эффективное сечение а зависит от энергии фотона и природы поглощающих центров. [50]
Величина а - коэффициент поглощения - есть вероятность поглощения фотона на расстоянии в единицу длины. Эффективное сечение а зависит от энергии фотона и природы поглощающих центров. [51]
В примесных полупроводниках с небольшим содержанием примесей вероятность поглощения фотонов электронами примесных атомов мала. Поэтому изменение проводимости под действием света также в основном связано с перебросом электронов из валентной зоны в зону проводимости и образованием пар разноименных носителей тока - электронов проводимости и дырок. Однако характер проводимости для электронных ( n - типа) и дырочных ( р-типа) примесных полупроводников различен. В процессе образования под действием света электроннодырочных пар положительные дырки рекомбинируют с электронами донорной примеси. Поэтому фотопроводимость n - полупроводника имеет чисто электронный характер. При этом в валентной зоне образуются положительные дырки, так что фотопроводимость р-полупроводника является чисто дырочной. [52]
Поэтому Впти ( сотл) часто называют вероятностью поглощения в единицу времени. Коэффициент Впт, как и Атп, является характеристикой данного перехода, зависящей только от свойств атома, но не от внешних условий. [53]
Поэтому Впти ( штп ] часто называют вероятностью поглощения в единицу времени. Коэффициент Bnmi как и Атп, является характеристикой данного перехода, зависящей только от свойств атома, но не от внешних условий. [54]