Cтраница 3
Область в пространстве, в которой вероятность пребывания электрона максимальна, называется орбиталью. [31]
Поэтому имеет смысл говорить лишь о вероятности пребывания электронов в данной области молекулы. [32]
Электронная плотность, которая рассматривается как вероятность пребывания электрона в данной области молекулы, имеет существенное значение в реакциях, протекающих по ионным механизмам. [33]
Его плотность в различных точках определяется вероятностью пребывания электрона. [34]
![]() |
Вероятность присутствия электрона в зависимости. [35] |
Между этими максимумами лежат шаровые слои, вероятность пребывания электрона в которых равна нулю. [36]
Последние описываются функцией г з, характеризующей вероятность пребывания электрона в данной точке. [37]
В зависимости от сродства атомов к электрону вероятность пребывания электронов в поле ядер разных атомов неодинакова, и поэтому средняя плотность электронного облака у одного атома больше, чем у другого. [38]
Но и внутри этой сферы с г 2А вероятность пребывания электрона не одинакова. Это как раз равно радиусу первой боровской орбиты. [39]
Величина и форма части пространства, в которой вероятность пребывания электрона равна наперед заданной величине ( обычно 0 9), , называется орбиталью. Если положить вероятность равной 1, то ор-биталь будет иметь объем, равный оо. [40]
Постоянная А выбирается таким образом, чтобы сумма вероятностей пребывания электрона во всех точках вокруг ядра равнялась единице. [41]
В соответствии с указанными свойствами МО значение с оценивает вероятность пребывания электрона на АО % и называется электронной плотностью на ц-м центре. [42]
Часто пользуются графическим изображением орбиталей как области пространства, в которой вероятность пребывания электрона достаточно велика. [43]
Уравнение ( 1 108) допускает интерпретацию величин Cfr как задающих вероятность пребывания электрона, находящегося на t - й молекулярной орбитали в области г-го атома. [44]
Величина - функции электрона в данной точке атома водорода характеризует плотность вероятности пребывания электрона в этой точке. Плотность вероятности микрочастицы в данной точке системы можно измерить долей рассматриваемого времени существования системы, в течение которой частица находится в этой точке. [45]