Вероятность - процесс
Cтраница 3
Что касается вероятности процесса е - j - X [ - М Х - М, то на основании имеющихся экспериментальных данных можно считать ее большой. [31]
Последний рассчитал вероятность процесса, который по современной терминологии можно назвать процессом кулоновского возбуждения конечного ядра улетающей а-части-цей. Согласно оценкам Данкова, эта вероятность очень велика при небольших энергиях возбуждения. Так, например, если использовать обычную теорию возмущений, то при энергиях возбуждения, меньших 500 кэв, вероятность дипольного кулоновского возбуждения оказывается больше единицы. При энергиях возбуждения, больших 500 кэв, такие оценки приводят к довольно малым вероятностям. То, что рассчитанная вероятность оказывается больше единицы, возможно, указывает на неприменимость теории возмущений, а не на действительно большую вероятность перехода. В связи с этим Данков повторил расчеты, применив метод адиабатических функций; однако вероятность перехода опять получилась большой. Не приводя деталей расчета, Данков указывает, что вероятность квадрупольного кулоновского возбуждения может быть сравнима с вероятностью дипольного возбуждения. Большая вероятность возбуждения низколежащих уровней указывает на то, что нельзя также пренебрегать вероятностью возбуждения виртуальных состояний конечного ядра. Отсюда следует, что могут иметь место заметные взаимодействия между а-частичными волнами, отвечающими различным состояниям конечного ядра. Большая величина квадру-польных моментов у тяжелых ядер показывает, что следует соблюдать осторожность при пренебрежении такими эффектами. Однако их количественная роль пока не выяснена. Возможно, что имеющиеся в некоторых случаях расхождения теории с экспериментом связаны с пренебрежением указанным взаимодействием. Последние в этой книге рассматриваться не будут ввиду несовершенства методов вычислений. [32]
Установлено отношение вероятностей процессов: р п - - п я и d я - - / г / г я без использования мезонной теории. [33]
Значительное увеличение вероятностей процессов излучения и образования электронно-позитронных нар при высоких энергиях в ориентированных кристаллах должно приводить к ускоренному развитию электромагнитных ливней в кристаллах. [34]
 |
Поглощение у-кванта. [35] |
Вершина 3 уменьшает вероятность процесса в Z2ez / flc раз. [36]
Отметим, что вероятность процесса ( 10) близка к единице: дырки быстро заполняются электронами из области положительных энергий. [37]
В общем случае вероятность процесса, при котором чужеродные атомы перемещаются на малое расстояние, выше вероятности процесса, когда эти атомы перемещаются на большое расстояние. [38]
При увеличении энергии вероятность процесса должна уменьшаться. [39]
Таким образом, вероятность процессов пропорциональна числу Nt начальных фононов в начальном состоянии кристалла, а также числам конечных фононов ( Nz 1 и Ns 1) в конечном состоянии кристалла. [40]
Таким образом, вероятность процессов пропорциональна числу NI начальных фононов в начальном состоянии кристалла, а также числам конечных фононов ( N2 1 и N % 1) в конечном состоянии кристалла. [41]
Кристаллизация полимеров определяется вероятностями процессов образования центров кристаллизации и роста кристаллов. На оба эти процесса влияет регулярность строения полимера. [42]
 |
Диаметр зоны когерентности. Более подробно этот вопрос излагается, например, в книге Хейденрейха ( 1964. [43] |
Это значит, что вероятности процессов, при которых падающий электронный пучок может упруго рассеяться несколько раз до того, как он выйдет из образца, очень значительны. Теория дифракции, в которой пучок, рассеянный, например, три раза, интерферирует с другим пучком, который был рассеян, скажем семь раз, гораздо более сложна, чем теория однократного рассеяния обоих пучков. Эта теория называется теорией многократного рассеяния; она наиболее широко была развита для интерпретации ДМЭ-экспериментов. [44]
В принципе вопрос о вероятности процесса пересадки двух атомов мог бы быть решен применением метода промежуточного комплекса Поланьи - Вигнера - Эйринга, кратко обсужденного выше. [45]
Страницы: 1 2 3 4