Cтраница 4
С увеличением энергии излучения вероятность процесса некогерентного рассеяния уменьшается, но более медленно, чем вероятность процесса фотоэлектрического поглощения. [46]
Если известна функция распределения вероятности процесса то вычисление вероятности удара волны о покрытие производится просто. [47]
В большинстве случаев порогом вероятности процесса служит значение AG4187 кДж / моль. [48]
![]() |
Нормированные спектры возбуждения люминесценции ( 7, флуоресценции ( 2 и фосфоресценции ( 3 фенантрена. [49] |
Более эффективным путем уменьшения вероятности процессов столкновения является замораживание исследуемых растворов или закрепление молекул люминофоров на поверхности сорбентов. [50]
При Ее1 с ростом Ее вероятность процесса растет вначале линейно, достигает максимума в области значений Ее, соответствующих 3 - 5 /, а затем плавно уменьшается. В максимуме сечение ионизации ст, определяемое как эффективная площадь поперечного сечения нейтральной / - и частицы, в к-рое должен попасть электрон, чтобы произошла ионизация, составляет обычно 0 2 - 0 5 от газокинетич. При дальнейшем увеличении Ее различия в величине ст, для разных атомов и молекул сглаживаются, и при достаточно больших значениях Ее величина ст, определяется гл. Для оптически тонкого слоя, когда длина своб. [51]
Соотношение (1.21) означает, что вероятности процессов вынужденных поглощения и излучения в пересчете на одно невырожденное состояние равны. [52]
V), который определяет вероятность процесса без отдачи. Таким образом, изменяется лишь величина максимального сечения резонансного поглощения, в то время как спектр остается неизменным. [53]
Такой способ нахождения сечения и вероятности процесса рассеяния через потенциал возмущения называется борновским приближением. [54]
При низких температурах, когда вероятность процессов переброса экспоненциально мала, рассеяние на точечных дефектах может стать основным резистивным механизмом. При этом возбуждены и переносят тепло в основном длинноволновые фононы; применимо рэлеевское приближение; большую роль играют нормальные процессы. Относительная величина второго слагаемого уменьшается с ростом концентрации дефектов. [55]