Вероятность - процесс - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Глупые женятся, а умные выходят замуж. Законы Мерфи (еще...)

Вероятность - процесс

Cтраница 4


С увеличением энергии излучения вероятность процесса некогерентного рассеяния уменьшается, но более медленно, чем вероятность процесса фотоэлектрического поглощения.  [46]

Если известна функция распределения вероятности процесса то вычисление вероятности удара волны о покрытие производится просто.  [47]

В большинстве случаев порогом вероятности процесса служит значение AG4187 кДж / моль.  [48]

49 Нормированные спектры возбуждения люминесценции ( 7, флуоресценции ( 2 и фосфоресценции ( 3 фенантрена. [49]

Более эффективным путем уменьшения вероятности процессов столкновения является замораживание исследуемых растворов или закрепление молекул люминофоров на поверхности сорбентов.  [50]

При Ее1 с ростом Ее вероятность процесса растет вначале линейно, достигает максимума в области значений Ее, соответствующих 3 - 5 /, а затем плавно уменьшается. В максимуме сечение ионизации ст, определяемое как эффективная площадь поперечного сечения нейтральной / - и частицы, в к-рое должен попасть электрон, чтобы произошла ионизация, составляет обычно 0 2 - 0 5 от газокинетич. При дальнейшем увеличении Ее различия в величине ст, для разных атомов и молекул сглаживаются, и при достаточно больших значениях Ее величина ст, определяется гл. Для оптически тонкого слоя, когда длина своб.  [51]

Соотношение (1.21) означает, что вероятности процессов вынужденных поглощения и излучения в пересчете на одно невырожденное состояние равны.  [52]

V), который определяет вероятность процесса без отдачи. Таким образом, изменяется лишь величина максимального сечения резонансного поглощения, в то время как спектр остается неизменным.  [53]

Такой способ нахождения сечения и вероятности процесса рассеяния через потенциал возмущения называется борновским приближением.  [54]

При низких температурах, когда вероятность процессов переброса экспоненциально мала, рассеяние на точечных дефектах может стать основным резистивным механизмом. При этом возбуждены и переносят тепло в основном длинноволновые фононы; применимо рэлеевское приближение; большую роль играют нормальные процессы. Относительная величина второго слагаемого уменьшается с ростом концентрации дефектов.  [55]



Страницы:      1    2    3    4