Вероятность - рассеяние
Cтраница 2
Следовательно, вероятность рассеяния определяется эффективным сечением рассеивающего центра, количеством этих центров и скоростью движения носителя заряда. [16]
Таким образом вероятность рассеяния (6.51) отлична от нуля и следовательно, рассеяние электрона на тепловых колебаниях атомов решетки реализуется только тогда, когда, по формуле ( 6 52) рождается или поглощается фонон. При таком рассмотрении наглядно видна полезность использования понятия фонона. [17]
Оно характеризует вероятность рассеяния частицы под данным углом 0 на одном ядре. [18]
Определим теперь вероятность рассеяния фонона экситоном. Этот процесс состоит в столкновениц фонона с импульсом f и экситона с импульсом р; в результате экситон приобретает импульс р и появляется фонон с импульсом f, причем р0 f 0 Р f, 6p0 / ш0 8Р Йсо. [19]
Таким образом, вероятность рассеяния зависит от энергии фотона v; при v - х должно происходить полное экранирование. [20]
В этом приближении вероятность рассеяния не зависит от поляризации взаимодействующих волн. [21]
Отметим, что вероятность рассеяния пропорциональна квадрату вектора Бюргерса. Таким образом, когда дислокации образуют группы с одинаковыми знаками, их совместное рассеяние будет соответственно больше, что имело бы место, если они были бы созданы одним источником и удерживались вместе но одной и той же причине. [22]
Таким образом, вероятность рассеяния (6.32) отлична от нуля, и, следовательно, рассеяние электрона на тепловых колебаниях атомов решетки реализуется только тогда, когда, по формуле (6.33) рождается или поглощается фонон. При таком рассмотрении наглядно видна полезность использования понятия фонона. Определение матричных элементов и вероятностей перехода - сложная задача, и производится оно по-разному для рассеяния на акустических и оптических фононах. В частности, для изучения рассеяния электронов на длинноволновых акустических фононах используется мет) д деформационного потенциала, предложенный Бардиным и Шокли. Из приближения сильной связи зонной теории твердого тела следует, что положение и размер зон энергии будут зависеть от расстояния между соседними атомами. [23]
В этом приближении вероятность рассеяния не зависит от поляризации взаимодействующих волн. [24]
Отметим, что вероятность рассеяния пропорциональна квадрату век-гора Нюргорса. Таким образом, когда дислокации образуют группы с одинаковыми знаками, их совместное рассеяние будет соответственно больше, что имело бы место, если они были бы созданы одним источником и удерживались вместе по одной и той же причине. [25]
 |
Зависимость электрической прочности щелочно-галоидных кристаллов ( ЩГК от частоты продольных оптических колебаний, определенной на границе зоны Бриллюэна. [26] |
Известно, что вероятность рассеяния максимальна в случае равенства как импульсов, так и энергий взаимодействующих квазичастиц. Поэтому ускоряемые полем электроны наиболее активно взаимодействуют с продольными оптическими фононами, поляризация которых согласуется с поляризацией электронной волны. Равенство энергий возможно лишь в том случае, когда энергия ускоряемых электронов становится равной К ( йьо, где WLO - частота продольной оптической моды. [27]
В рассматриваемом случае вероятность рассеяния имеет вид vatfio / 4n, где do - телесный угол направлений импульса р после рассеяния, а а0 - постоянное полное сечение рассеяния. [28]
В рассматриваемом случае вероятность рассеяния имеет вид VCTQ с / о / ( 4тг), где do - телесный угол направлений импульса р после рассеяния, а сто - постоянное полное сечение рассеяния. [29]
Учитывая, что вероятность рассеяния фононов определяется числом заполненных электронами донорных центров, а не общей их концентрацией [769], совсем не исключено, что различия в теплопроводности кристаллов Ge n и р-типа ( о которых сообщалось в работах [775, 17, 749, 756]) связано с различиями в концентрации глубоких примесных центров, которые могли быть полностью заполненными при условиях измерения Я в этих кристаллах. Это соображение не противоречит результатам работы [776], в которой показано, что кристаллы п - и p - Ge ( с Р3оо к от 0.020 5 до 26 0 Ом см), выращенные в технологически эквивалентных условиях, характеризуются значениями Я, не зависящими, при прочих равных условиях, от типа проводимости кристаллов. [30]
Страницы: 1 2 3 4