Cтраница 4
Выражение для Sif 2 дает вероятность рассеяния фотона электроном с определенным спином в начальном и конечном состояниях. [46]
![]() |
Связь между углом рассеяния 9 н прицельным гДе величина. [47] |
Или восемь порядков величины меньше вероятности резерфордов-ского рассеяния. [48]
Найти релятивистскую поправку к выражению вероятности рассеяния свободного электрона полем V ( г); считать, что значения спина электрона в начальном и конечном состояниях безразличны. [49]
Зависимость между площадью мишени и вероятностью рассеяния довольно проста, но, вероятно, требует подробного рассмотрения. Здесь может принести пользу простой пример, подобный рассматриваемому ниже. [50]
Длина свободного пробега электрона обратно пропорциональна вероятности рассеяния электр она внутри кристаллической решетки полупроводника. Мерой такой вероятности служит степень отступления от строгой периодичности идеальной кристаллической решетки. [51]
Формулы (39.14) и (39.15), определяющие вероятность рассеяния, должны быть усреднены по всем значениям магнитных квантовых чисел тг и по всем распределениям изотопов в решетке. [52]
Следовательно, величина SN / - есть вероятность рассеяния на единичном интервале пути. Это соотношение совершенно аналогично соотношению между временем свободного пробега и вероятностью рассеяния за единицу времени, полученному нами в § 2 на основании законов теории вероятности. [53]